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| 名前 | |||
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| 推奨IUPAC名
トリメチルシラン | |||
| 識別子 | |||
3Dモデル(JSmol)
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| ケムスパイダー |
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| ECHA 情報カード | 100.012.366 | ||
| EC番号 |
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PubChem CID
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| ユニイ | |||
CompToxダッシュボード (EPA)
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| プロパティ | |||
| C 3 H 10 Si | |||
| モル質量 | 74.198 g·mol −1 | ||
| 密度 | 0.638 g cm −3 | ||
| 融点 | −135.9 °C (−212.6 °F; 137.2 K) | ||
| 沸点 | 6.7 °C (44.1 °F; 279.8 K) | ||
| 危険 | |||
| GHSラベル: | |||
| 危険 | |||
| H220、H224、H315、H319、H335 | |||
| P210、P233、P240、P241、P242、P243、P261、P264、P271、P280、P302+P352、P303+P361+P353、P304+P340、P305+P351+P338、P312、P321、P332+P313、P337+P313、P362、P370+P378、P377、P381、P403、P403+P233、P403+P235、P405、P410+P403、P501 | |||
| NFPA 704(ファイアダイヤモンド) | |||
特に記載がない限り、データは標準状態(25 °C [77 °F]、100 kPa)における材料のものです。
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トリメチルシランは、化学式(CH 3 ) 3 SiHで表される有機ケイ素化合物です。トリアルキルシランの一種です。Si-H結合は反応性があります。気体であるため、室温で液体である 同族のトリエチルシランに比べて、試薬としてはあまり用いられません。
トリメチルシランは、半導体産業において、プラズマ化学気相成長法(PE-CVD)による誘電体およびバリア層の成膜の原料ガスとして用いられています。 [1]また、プラズママグネトロンスパッタリング法(PEMS)によるTiSiCNハードコーティングの成膜にも原料ガスとして用いられています。さらに、1000℃未満の比較的低温で、低圧化学気相成長法(LP-CVD)によるシリコンカーバイドハードコーティングの成膜にも使用されています。トリメチルシランは高価なガスですが、シラン(SiH 4)よりも安全に使用でき、シリコンと炭素を含む複数の原料ガスでは得られない特性をコーティングに発現させます。


