チェン・シンビ | |
|---|---|
陈星弼 | |
| 生まれる | (1931-01-28)1931年1月28日 |
| 死亡 | 2019年12月4日(2019-12-04)（88歳） |
| 母校 | 同済大学 |
| 知られている | スーパージャンクションの発明 |
| 受賞歴 | ISPSDパイオニア賞（2015年） ISPSD殿堂入り（2019年） |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | パワー半導体デバイス |
| 機関 | 中国電子科技大学 |
陳星弼（ちん こうび、中国語:陈星弼、1931年1月28日 - 2019年12月4日）は、中国の電子工学者であり、中国電子科技大学の教授であった。超接合 パワー半導体デバイスの発明で知られ、中国科学院院士および電気電子技術者協会（IEEE）の終身フェローに選出された。2019年にはIEEEのISPSD殿堂入りを果たした。
幼少期と教育
陳は1931年1月28日、中華民国上海市で生まれました。祖先は浙江省浦江県に住んでいました。[1] [2]父の陳徳正（チェン・デジェン）は国民党の政治家でしたが、蒋介石を怒らせたとして解任されました。母の徐呵梅（シュー・ホーメイ）は上海大学で文学を学びました。[3]
陳はわずか3歳で小学校に入学しました。6歳の時、日中戦争が勃発し、日本軍が上海を攻撃しました。陳の家族は上海から中国の戦時首都である重慶へと逃れました。しかし、重慶への日本軍の爆撃により、家族は再び合川の田舎へと逃れ、そこで彼は厳しい環境の中で小学校と中学校を卒業しました。[3]
第二次世界大戦後、陳の家族は上海に戻り、彼は静業高校で学び、奨学金を得て同済大学電気工学部に入学した。 [3]
キャリア
1952年に同済大学を卒業後、陳は厦門大学電気工学部に赴任した。1年後、南京理工大学（現東南大学）の無線電子工学部に異動した。[3]
1956年、陳は中国科学院応用物理研究所でさらに研究を進め、 2年半にわたり半導体の研究に従事した。 1959年には、成都に新設された中国電子科学技術大学（UESTC）の教員に就任した。 [3]
文化大革命（1966～1976年）の間、陳は国民党出身の家系であったため迫害を受け、五七幹部学校で肉体労働に従事した。文化大革命終結後の1980年、彼はオハイオ州立大学とカリフォルニア大学バークレー校の客員研究員[3]として渡米した[4]。
1983年に中国に帰国した陳は、UESTCの学科長に任命された。彼はすぐに同大学にマイクロエレクトロニクス研究所を設立し、MOSFETとパワー半導体デバイスの研究に注力した。[3]また、カナダのトロント大学とウェールズ・スウォンジー大学で客員教授を務めた。[4]
陳氏は2019年12月4日に成都で88歳で亡くなった。[1] [5]
貢献と栄誉
陳氏は中国におけるパワー半導体デバイスの第一人者であり、 [5]スーパージャンクションの発明で知られ、1993年に米国特許を取得しました。[6]また、中国初のVDMOS、LDMOS、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）などの半導体デバイスも開発しました。[3] [4] 200以上の研究論文を発表し、中国、米国、その他の国で40以上の特許を保有しています。[1] [5]
1999年に中国科学院院士に選出され、2019年には電気電子学会（IEEE）の終身フェローに選出された。[1] 2015年にはIEEEの国際パワー半導体デバイス・ICシンポジウム（ISPSD）からパイオニア賞を受賞し、アジア太平洋地域から初の受賞者となった。[5] 2019年5月には、「スーパージャンクションパワー半導体デバイスへの貢献」によりISPSDの殿堂入りを果たした。[7] [8]
参考文献
- ^ abcd ""中国電力半导体领路人"陈星弼院士在成都逝世".新華社。 2019年12月4日。2019年12月5日のオリジナルからアーカイブ。2019 年12 月 5 日に取得。
- ^ 「陳興弼の伝記」China Vitae . 2015年9月18日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年12月5日閲覧。
- ^ abcdefgh "陈星弼". Jiusan Society . 2012年5月17日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年12月7日閲覧。
- ^ abc "Chen Xingbi".中国電子科技大学. 2019年11月14日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年12月7日閲覧。
- ^ abcd 「中国のパワー半導体のパイオニアが89歳で死去」China.org.cn 2019年12月5日。2019年12月5日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年12月5日閲覧。
- ^ US 5216275、Xingbi, Chen、「交互導電型高電圧破壊領域を有する半導体パワーデバイス」、1993年6月1日公開、中国電子科技大学に譲渡
- ^ “ISPSD Hall of Fame”. ISPSD . 2019年5月. 2019年11月18日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年12月7日閲覧。
- ^ 「Awards」. 2019 第31回パワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム（ISPSD） . IEEE. 2019年5月. pp. 1– 5. doi : 10.1109/ISPSD.2019.8757622 . ISBN 978-1-7281-0580-2。
