BINAP

BINAP

名前
推奨IUPAC名 ([1,1′-ビナフタレン]-2,2′-ジイル)ビス(ジフェニルホスファン)
その他の名前 BINAP
識別子
CAS番号	76189-55-4 ( R )^はい 76189-56-5 ( S )^はい
3Dモデル（JSmol）	（Rac）：インタラクティブ画像
チェムブル	ChEMBL1275990
ケムスパイダー	551072 (ラック)^北
ECHA 情報カード	100.114.880
EC番号	616-304-7 619-338-0 616-305-2 918-620-3
PubChem CID	634876  (+)
ユニイ	4F1X2F8NA3  (右)^はい OX12238KWH  ( S )^はい
CompToxダッシュボード（EPA）	DTXSID40913327
InChI InChI=1S/C44H32P2/c1-5-19-35(20-6-1)45(36-21-7-2-8-22-36)41-31-29-33-17-13-15-27-39(33)4 3(41)44-40-28-16-14-18-34(40)30-32-42(44)46(37-23-9-3-10-24-37)38-25-11-4-12-26-38/h1-32H^北 キー: MUALRAIOVNYAIW-UHFFFAOYSA-N^北
笑顔 (ラック): c1ccc(cc1)P(c2ccccc2)c3ccc4ccccc4c3c5c6ccccc6ccc5P(c7ccccc7)c8ccccc8
プロパティ
化学式	C 44 H 32 P 2
モル質量	622.688  g·mol ^−1
外観	無色の固体
融点	239～241℃（462～466°F; 512～514K）（R）238～240℃（S）
水への溶解度	有機溶剤
危険
GHSラベル：
ピクトグラム
シグナルワード	警告
危険有害性情報	H315、H319、H335、H413
注意事項	P261、P264、P271、P273、P280、P302 + P352、P304 + P340、P305 + P351 + P338、P312、P321、P332 + P313、P337 + P313、P362、P403 + P233、P405、P501
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）における材料のものです。 北 検証する （何ですか  ？） ^はい北 情報ボックスの参照

上図のようなBINAPの球と棒のモデル

BINAP（2,2′-ビス（ジフェニルホスフィノ）-1,1′-ビナフチル）は有機リン化合物である。このキラルなジホスフィン配位子は不斉合成に広く用いられている。1位と1′位に結合した2-ジフェニルホスフィノナフチル基の対からなる。このC ₂対称骨格には立体原子が存在しないが、回転が制限されるため（アトロプ異性）、軸性キラリティーを有する。ナフチル環を結合する結合の回転が制限される立体障害のため、ラセミ化障壁は高い。ナフチル基間の二面角は約90°である。自然なバイト角は93°である。^{[ 1 ]}

不斉触媒における配位子としての使用

BINAPは、ルテニウム、ロジウム、パラジウムとの錯体触媒による有機合成において、エナンチオ選択的変換反応に用いられている。^{[ 2 ]}野依良治らの先駆的な研究によると、BINAPのロジウム錯体は(–)-メントールの合成に有用である。^{[ 3 ] [ 4 ]}

銀錯体も重要であり、BINAP- AgFはシリルエノールエーテルをエナンチオ選択的にプロトン化するために使用できる。^{[ 5 ]}

その後の研究により、芳香族面間の二面角がより狭い類似のジホスフィンが、よりエナンチオ選択性の高い触媒を与えることが明らかになった。そのような配位子の一つがSEGPHOSである。^{[ 6 ]}

準備

BINAPはBINOL ^{[ 7 ] [ 8 ]}からビストリフラート誘導体を経て製造される。( R )-体および( S )-体、そしてラセミ体のいずれも市販されている。幅広い用途の一つとして、BINAPをロジウムに共役させた化学選択的水素化が挙げられる。

さらに読む

• ベルトード, ミカエル; ミニャーニ, ジェラール; ウッドワード, ゲイリー; ルメール, マーク (2005). 「改良BINAP：その方法と理由」.化学レビュー. 105 (5): 1801– 1836. doi : 10.1021/cr040652w . PMID  15884790 .
• Genet, Jean-Pierre; Ayad, Tahar; Ratovelomanana-Vidal, Virginie (2014). 「電子不足ジホスフィン：不斉触媒におけるジフルオロホスの影響」. Chemical Reviews . 114 (5): 2824– 2880. doi : 10.1021/cr4003243 . PMID  24517862 .
• コチョフスキー、パベル。ヴィスコチル、シュチェパン;スムルチナ、マーティン (2003)。 「エナンチオ選択的触媒における非対称置換 1,1'-ビナフチル」。化学レビュー。103 (8): 3213–3246 .土井: 10.1021/cr9900230。PMID  12914496。
• Zhang, Zhenfeng; Butt, Nicholas A.; Zhang, Wanbin (2016). 「非芳香族環状基質の不斉水素化」. Chemical Reviews . 116 (23): 14769– 14827. doi : 10.1021/acs.chemrev.6b00564 . PMID  27960269 .
• Clevenger, Andrew L.; Stolley, Ryan M.; Aderibigbe, Justis; Louie, Janis (2020). 「ニッケル触媒における二座ホスフィン配位子の利用動向」. Chemical Reviews . 120 (13): 6124– 6196. doi : 10.1021/acs.chemrev.9b00682 . PMID  32491839. S2CID  219311508 .

参考文献

1. Birkholz (née Gensow), Mandy-Nicole; Freixa, Zoraida; van Leeuwen, Piet WNM (2009). 「C–CおよびC–X結合形成クロスカップリング反応におけるジホスフィンの噛み込み角効果」. Chemical Society Reviews . 38 (4): 1099– 1118. doi : 10.1039/B806211K . PMID 19421583 . 
2. 北村 正人; 徳永 正人; 大熊 毅; 野依 良治 (1998). 「BINAP-ルテニウム錯体を用いた3-オキソカルボン酸塩の不斉水素化」 . Org. Synth. 9 : 589.
3. 芥川 誠 (1992). 「Rh-BINAP触媒を用いた(−)-メントールの実用的合成」.キラリティー工業会誌: 313–323 .
4. 雲林秀典;さよ、のぼる。芥川進。坂口敏明鶴田春樹（1997）。「金属-BINAP触媒を使用した工業的不斉合成」。日本 科学 会誌。12 (12): 835–846 . doi : 10.1246/nikkashi.1997.835。
5. 柳沢 明; 峠 太一郎; 新井 孝好 (2005). 「Binap⋅AgF錯体触媒によるシリルエノラートのエナンチオ選択的プロトン化」. Angewandte Chemie International Edition . 44 (10): 1546–8 . doi : 10.1002/anie.200462325 . PMID 15645475 . 
6. 清水 浩・長崎 郁・松村 健・佐用 暢・斎藤 孝 (2007). 「産業的観点から見た不斉水素化反応の発展」Acc. Chem. Res. 40 (12): 1385– 1393. doi : 10.1021/ar700101x . PMID 17685581 . 
7. 「BINAP：製造への産業的アプローチ」（PDF） . Rhodia . 2008年10月20日閲覧。
8. 蔡、東偉; JF パヤック。 DRベンダー。 DLヒューズ; TR バーホーベン; PJ ライダー (1999)。「( R )-(+)- および ( S )-(-)-2,2'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル (BINAP)」。有機合成。76：6。