アクバル・アディビ
アクバル・アディビ
生まれる（1939年2月12日）1939年2月12日
ソンゴール、イラン
死亡2000年8月26日（2000年8月26日）（61歳）
テヘラン、イラン
母校テヘラン大学カリフォルニア大学サンタバーバラ校
知られているイラン初の太陽電池の開発 イランの電子工学と超LSIの父
科学者としてのキャリア
フィールド固体電子工学、VLSI
機関アミルカビル工科大学
博士課程の指導教員フィリップ・F・オルドゥング

アクバル・アディビ(ペルシア語: اکبر ادیبی Akbar Adībī ) (1939年 - 2000年) は、イランの電子技術者、VLSI研究者、大学工学教授であった。

バイオグラフィー

アクバル・アディビは1939年2月12日、イラン北東部ケルマンシャー州ソンゴル市に生まれました。1965年にテヘラン大学で電気工学科の理学修士号を取得し、テヘラン工科大学（アミルカビール工科大学）の講師に就任しました。1965年から1966年にかけて、イランのテヘランにあるアルストム発電所に勤務し、1966年から1973年にかけて、イランの テヘラン工科大学で講師を務めました。

アクバル・アディビ教授は1973年にカリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）で研究を続け、1975年にマイクロプロセッサベースのコンピュータシステムと固体および半導体デバイスの2つの理学修士号を取得しました。 1977年に博士号を取得し、論文のタイトルは「ショットキー障壁太陽電池」でした。[ 1 ]

アクバル・アディビの学歴は、テヘラン工科大学（後にアミルカビール工科大学に改名）の助教授[1]と、テヘランの材料エネルギー研究センター（MERC）の上級研究員として始まった。[ 1 ]

彼の注目すべき業績は、1978年にイラン初の太陽電池を開発し、1984年にアミルカビール大学大学院を設立し、イラン初の博士号取得者となったハッサン・カトゥジアン氏を指導したことである[ 2 ]。 1994年に電子工学の学位を取得し、国内外で100以上の出版物を出版、1995年に教授の称号を獲得、1995年の最も優れたプロジェクトの1つとしての貢献により名誉あるハラズミ国家賞[ 1 ]を受賞、 [ 1 ] 1996年には「イランで最も認知され、エリートである大学教授」という名誉ある称号を獲得、[ 1 ] 1996年にイランイスラム共和国大統領から賞を授与され、1996年にIEEEのシニアメンバーとなり、イランの学界とメディアから「イランの電子工学とVLSIの父」という名誉ある称号を獲得した。

彼は、ニューヨーク科学アカデミー、ニューヨーク惑星協会、アメリカ光学会、そしてイランIEEE学生支部カウンセラーなど、数多くの学会の会員でした。また、多くの産業界プロジェクトにも携わり、具体的には、32チャンネルPCMシステムの設計・実装（イラン通信研究センター「ICRC」との協力）、 DSPベースの高電圧ネットワーク保護システムの設計・構築（タヴァニール研究技術センターとの協力）、 DCSベースの制御システムの設計（ベサット発電所との協力）などを行いました。 [2] 2011年9月27日、Wayback Machineにアーカイブされています。

アディビは、いくつかの技術書（アミルカビール工科大学（テヘラン、イラン）から1987年に出版された「パルステクニック」、アミルカビール工科大学（テヘラン、イラン）から1995年に出版された「半導体デバイスの理論と技術」 、アミルカビール工科大学（テヘラン、イラン）から出版された「デジタルエレクトロニクス」 ）の著者であり、フック＆ブラウンの「岩石の地下発掘」を英語からペルシャ語に翻訳した[ 1 ]。

彼は、エレクトロニクスと超LSI技術がイランの石油依存度を低減し、ハイテク輸出の最前線に加わる助けになると心から信じていました。しかし、イラン初の稼働可能な超LSI研究所の設立に必要な予算が全額支給されなかったため、彼の願いは完全には叶いませんでした。

彼のキャリアは、2000年8月26日午後6時30分（現地時間）、心不全によりこの世を去るまで続きました。

現在、アミルカビール工科大学の電気・コンピュータ工学部の講堂は彼の名にちなんで名付けられています。

遺族は2人の子供、ササン・アディビとマーサ・アディビ、そして妻のシャーラ・エジュテマイ・アディビです。

選定された出版物

  • PF Ordung, A. Adibi, D. Heald, R. Neville, J. Skalnik, 「ショットキーバリア太陽電池の効率予測のための集光速度モデル」, 太陽光発電会議, ルクセンブルク, 1977年9月27～30日, p. 340-349
  • A. Adibi およびK. Eshraghian、「GaAs-MESFET 光検出器の一般化モデル」、IEE Proceedings-G Circuits Devices and Systems、 Vol. 136、No. 6、pp. 337–343 (1989)。
  • MJ SharifiとA. Adibi、「量子デバイスシミュレーションのための新しい手法」、International Journal of Electronics、Vol. 86、 No. 9、pp. 1051–1062 (1999)
  • MA Jafarizadeh、A. Adibi、A. Rostami、「量子化光パラメトリック相互作用ハミルトニアンの解」、 Nuovo Cimento D、Vol. 20、 No. 10、pp. 1459–1468 (1998)。
  • S. Ardalan および A. Adibi、「32 ビット数学プロセッサの設計、シミュレーションおよび合成」、IEEE 48th Midwest Symposium on Circuits and Systems、2005 年、第 2 巻、2005 年 8 月 7 ～ 10 日、pp. 1469 ～ 1472 (2005)。

アディビのビデオ

参照

参考文献

  1. ^ a b c d e f “Akbar Adibi” . 2011年9月27日時点のオリジナルよりアーカイブ。2007年5月5日閲覧。
  2. ^ “Hassan Kaatuzian” . 2019年6月18日時点のオリジナルよりアーカイブ。2007年5月5日閲覧。
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