ジリアン・リード

ジリアン・リード
CBE CChem FRSC FRSE
母校エディンバラ大学
科学者としてのキャリア
機関サウサンプトン大学
論文遷移金属大環状錯体に関する研究 (1989)

ジリアン・リード（1964年生まれ）は、イギリスの化学者であり、サウサンプトン大学で無機化学の教授を務め、元化学部長を務めています。彼女の研究は、錯体化学、無機半導体、金属フッ化物骨格材料を対象としています。2020年に王立化学協会の次期会長に任命され、2022年に会長に就任する予定です。

幼少期と教育

リードは高校時代に化学に興味を持ち、最終的にエディンバラ大学で化学を学び、1986年に学士号を取得しました。博士研究も同大学に留まり、大環状錯体を研究しました。[ 1 ] 1989年に学位を取得し、エディンバラで2年間のポスドク研究員を務めた後、リードはサウサンプトン大学の講師に就任しました。

研究とキャリア

1991年、リードはサウサンプトン大学に講師として着任し、2006年に教授に昇進した。[ 2 ]彼女のリーダーシップの下、サウサンプトン大学は材料化学知識センターに加わった。[ 3 ]リードはサウサンプトン大学で分子集合体と構造の研究を主導している。[ 4 ]

彼女の研究は無機配位化学を扱っており、特にカルコゲン供与原子を含む大環状配位子の設計に重点を置いている。[ 5 ]彼女は非水系電着法を利用して無機半導体合金を成長させている。[ 6 ]電着法は超高真空環境を必要とせずにボトムアップ成長を可能にする。[ 6 ]リードは不揮発性メモリ、熱電発電機、二次元材料に使用するための化合物の合成を可能にする分子試薬を作成した。この試薬は、高純度のテルル化ゲルマニウム、二硫化モリブデン、二硫化タングステンなど、さまざまな薄膜を堆積するために使用された。[ 7 ] [ 8 ] [ 9 ] [ 10 ]

2002年、リードはサウサンプトン科学技術デーの共同設立者となり、これは後にサウサンプトン科学技術フェスティバルへと発展しました。[ 2 ]このイベントは、毎年3月に開催される英国科学週間に合わせて設立されました。 [ 2 ] 2010年、リードは化学アウトリーチプログラムの責任者に就任しました。2015年には、王立協会のサマーサイエンス展示会「テクノロジーを小さくする」の共同主催者を務め、ナノスケールの電子デバイスを構築する手段としての電気化学を一般の人々に紹介しました。[ 11 ]

賞と栄誉

選定された出版物

私生活

リードさんには二人の子供と一匹の犬がいます。

参考文献

  1. ^リード、ジリアン；エディンバラ大学 (1989).遷移金属大環状錯体に関する研究. hdl : 1842/12853 . OCLC 1064872347 . 
  2. ^ a b c d e「ギル・リード教授｜化学｜サウサンプトン大学」サウサンプトン大学. 2020年6月29日閲覧。
  3. ^ 「化学パートナーシップがイノベーションの新たな機会を開く」 Life Science Integrates . 2017年4月10日. 2020年6月29日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2020年6月29日閲覧。
  4. ^ “SCFEDプロジェクト” . scfed.net . 2017年3月19日時点のオリジナルよりアーカイブ。2020年6月29日閲覧。
  5. ^ Chang, Yao-Pang; Levason, William; Reid, Gillian (2016年11月22日). 「チオエーテル、セレノエーテル、テルロエーテル配位子を用いた初期硬質金属（第1～6族）の化学における発展」 . Dalton Transactions . 45 (46): 18393– 18416. doi : 10.1039/C6DT03409H . ISSN 1477-9234 . PMID 27808297 .  
  6. ^ a b N Bartlett, Philip; L Benjamin, Sophie; Groot, CH (Kees) de; L Hector, Andrew; Huang, Ruomeng; Jolleys, Andrew; P Kissling, Gabriela; Levason, William; J Pearce, Stuart; Reid, Gillian; Wang, Yudong (2015). 「機能性半導体金属カルコゲニドGe2 Sb2 Te5相変化メモリの非水電解めっき」 . Materials Horizo​​ns . 2 (4): 420– 426. doi : 10.1039/C5MH00030K .
  7. ^ 「メモリおよびエネルギーハーベスティングデバイスのための新しい薄膜アプローチ」 Printed Electronics World、2019年1月25日。 2020年6月29日閲覧。
  8. ^ Noori, YJ; Thomas, S; Ramadan, S; Greenacre, VK; Abdelazim, NM; Han, Y; Zhang, J; Beanland, R; Hector, AL; Klein, N; Reid, G; Bartlett, PN; de Groot, CH (2022年1月1日). 「パターン化グラフェン上への電気堆積WS 2単分子膜」 . 2D Materials . 9 (1): 015025. arXiv : 2109.00083 . Bibcode : 2022TDM.....9a5025N . doi : 10.1088/2053-1583/ac3dd6 . ISSN 2053-1583 . S2CID 244693600 .  
  9. ^ヌーリ、ヤシル J.;トーマス、シビン。ラマダン、サーミ。スミス、ダニエル E.グリーンエーカー、ヴィッキー K.アブデルジム、ネマ。ハン・イソン。リチャード・ビーンランド。ヘクター、アンドリュー L.クライン、ノーバート。リード、ジリアン。バートレット、フィリップ N.スイス、キース・デ・グルート（2020年11月4日）。「2D 材料ヘテロ構造のためのグラフェン上の数層 MoS 2 の大面積電着」。ACS アプライド マテリアルズ & インターフェース。12 (44 ) : 49786–49794。arXiv : 2005.08616 。土井：10.1021/acsami.0c14777。ISSN 1944-8244。PMID 33079533 . S2CID 224828493 .   
  10. ^アブデルジム、ネマ M.ヌーリ、ヤシル J.トーマス、シビン。ビクトリア州グリーンエーカー、K.ハン・イソン。スミス、ダニエル E.ピアナ、ジャコモ。ジェレフ、ニコライ。ヘクター、アンドリュー L.リチャード・ビーンランド。リード、ジリアン。バートレット、フィリップ N.グルート、コーネリス H. (2021 年 9 月)。「電着による絶縁体上の MoS 2 2D 材料半導体の横方向成長」。先端電子材料。7 (9) 2100419.土井: 10.1002/aelm.202100419。ISSN 2199-160X。S2CID 232478824。  
  11. ^ 「技術の小型化に取り組むサウサンプトンの科学者への王立協会からの招待状 | 化学 | サウサンプトン大学」サウサンプトン大学。 2020年6月29日閲覧。
  12. ^ 「ギル・リード教授｜化学｜サウサンプトン大学」サウサンプトン大学. 2020年6月29日閲覧。
  13. ^ 「ギル・リード氏が大統領選挙で勝利」王立化学協会2020年6月26日. 2020年6月29日閲覧。
  14. ^ 「ギル・リード氏が王立化学協会会長に選出｜サウサンプトン大学」サウサンプトン大学。 2020年6月29日閲覧。
  15. ^ Thomas, James (2022年3月22日). 「学術的・芸術的な才能を持つ人々がRSEフェローとして表彰される」 .エディンバラ王立協会. 2022年12月15日閲覧。
  16. ^ 「2025年の新年叙勲で化学界の先駆者たちが表彰される」英国王立化学協会、2024年12月30日。 2025年1月3日閲覧。
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