イオンビーム支援蒸着法（IBADまたはIAD）は、イオン注入と同時スパッタリングなどの物理蒸着法を組み合わせた材料工学技術です。蒸着中にイオンエネルギー、温度、原子種の到達速度などのパラメータを個別に制御できるだけでなく、この技術は、基板材料と蒸着膜との間の遷移を緩やかにしたり、他の技術よりも歪みの少ない蒸着膜を蒸着するのに特に有効です。これらの2つの特性により、基板との結合強度が大幅に向上した膜を形成できます。経験から、立方晶窒化ホウ素（c-BN）などの一部の準安定化合物は、蒸着プロセス中に高エネルギーイオンを照射することでのみ薄膜として形成できることが分かっています。
参照
参考文献
- ケスター, ダニエル・J.; メシエ, ラッセル (1992年7月15日). 「立方晶窒化ホウ素薄膜の位相制御」. Journal of Applied Physics . 72 (2). AIP Publishing: 504– 513. Bibcode : 1992JAP....72..504K. doi : 10.1063/1.351881. ISSN 0021-8979.
- 4wave Inc.のイオンビーム蒸着ページ（典型的なIBDシステムの図解付き）
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