IEEEフォトニクス賞は、2002年にIEEE理事会によって設立された技術分野賞です。[ 1 ]この賞は、光の生成、伝送、偏向、増幅、検出、およびこれらの機能を実現するために使用される光学/電気光学部品と計測機器に関する研究を含む、フォトニクス分野における優れた業績に対して授与されます。また、フォトニクスを用いてデータの読み書きを行うストレージ技術や光ディスプレイ技術も含まれます。さらに、エネルギー生成/伝播、通信、情報処理、ストレージとディスプレイ、バイオメディカルおよび医療における光の応用、計測アプリケーションなどにも及びます。[ 2 ]
この賞は個人または最大 3 名のチームに授与されます。
IEEEフォトニクス賞は、銅メダル、賞状、賞金で構成されています。この賞はIEEE技術分野賞評議会によって運営され、受賞者はフォトニクス分野における技術的功績、影響力、革新性に基づいて委員会によって選出されます。[ 3 ]
受信者
2024年: キム・ロバーツ
- 光ファイバー伝送システム向けデジタルコヒーレント信号処理の導入と開発におけるリーダーシップに対して。
2023年: ロエル・バエツ
- シリコン、シリコン窒化物、III-Vデバイス、およびそれらの異種統合を含む集積フォトニクスの先駆的研究に対して。
2022年: ロドニー・S・タッカー
- 光子デバイスのモデリングと、エネルギー消費を含むデバイスレベルとシステムレベルのパフォーマンスのギャップを埋めることへの貢献に対して。
2021年:ジャック・ジュエル
- 垂直共振器面発光レーザー(VCSEL)の開発および商業化に対する先駆的かつ継続的な貢献に対して。
2020年:クリストファー・リチャード・ドーア
- 通信用光集積回路およびデバイスの継続的な先駆的研究、開発、商業化に対して。
2019年:ミハル・リプソン
- シリコンフォトニクスへの先駆的な貢献に対して。
2018年:ウルスラ・ケラー
- 重要な産業用途と新たな科学的進歩を可能にする超高速レーザー技術への先駆的な貢献に対して。
2017年:ジョン・E・バウワーズ
- ハイブリッドシリコンレーザー、フォトニック集積回路、超低損失導波路などのシリコンフォトニクスの先駆的研究に対して。
2016年:マーク・E・トンプソン
- 有機発光ダイオード (OLED)ディスプレイにおけるリン光材料の構想、実証、開発における科学的および技術的リーダーシップに対して。
2015年:フィリップ・セント・ジョン・ラッセル
- フォトニック結晶ファイバーの構想と実現への先駆的な貢献に対して。
2014年:ジェームズ・G・フジモト
- 医療診断用光干渉断層撮影法の開発と商業化の先駆者。
2013年: ピーター・F・モールトン
- Ti:サファイアレーザーの発見と、多くの新しい固体レーザーシステムおよびアプリケーションの開発に対して。
2012年:エリ・ヤブロノビッチ
- フォトニック結晶、フォトニックバンドギャップ、フォトニックバンドギャップエンジニアリングへの先駆的な貢献。
2011年:アムノン・ヤリブ
- 量子エレクトロニクスと光波通信に広範囲に影響を与えたフォトニクス科学、工学、教育への基礎的貢献に対して。
2010年: イヴァン・P・カミノウ
- 電気光学変調、集積光学、半導体レーザーへの先駆的な貢献と光通信におけるリーダーシップに対して。
2009年:ロバート・L・バイヤー
- 精密測定から製造までの商業用途における非線形光学と固体レーザーへの先駆的な貢献に対して。
2008年: ジョー・C・キャンベル
- 高速、低ノイズの長波長アバランシェフォトダイオードの開発に対する先駆的かつ継続的な貢献に対して。
2007年:デビッド・N・ペイン
- 通信、センサー、高出力アプリケーション向け光ファイバーベース技術の開発および商業化への先駆的な貢献に対して。
2006年: フレデリック・J・レオンバーガー
- 光通信用フォトニックコンポーネント技術の技術的リーダーシップ、商業化、実用化に対して。
2005年:ロッド・C・アルファーネス
- フォトニクス技術の実現に向けた先駆的な貢献と、そのネットワークおよびシステムへの応用における先見性のあるリーダーシップに対して。
2004:リー・ティンイェ
- 光ファイバー通信およびレーザー科学の分野におけるリーダーシップ、ビジョン、先駆的な貢献に対して。
参考文献
外部リンク