圧電材料の一覧

このページでは、一般的に使用されるいくつかの圧電材料の特性をリストします。

圧電材料(PM)は、結晶性、セラミックス、ポリマーに大別できます。[1] 最も一般的に製造されている圧電セラミックスは、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウムチタン酸鉛です。窒化ガリウム酸化亜鉛も、バンドギャップが比較的広いためセラミックとみなすことができます。半導体PMは集積回路や半導体デバイスとの互換性などの機能を提供します。無機セラミックPMは、結晶方向に制約されずにさまざまな形状やサイズに製造しやすいなど、単結晶に比べて利点があります。PVDFなどの有機ポリマーPMは、無機PMに比べてヤング率が低くなっています。圧電ポリマー(PVDF、240 mV-m/N)は、センサーの重要なパラメーターである圧電応力定数(g 33)がセラミックス(PZT、11 mV-m/N)よりも高く、セラミックスよりも優れたセンサーになり得ることを示しています。さらに、圧電ポリマーセンサーおよびアクチュエータは、加工の柔軟性が高いため、大面積での生産や様々な形状への切断が容易です。さらに、ポリマーは高強度、高耐衝撃性、低誘電率、低弾性剛性、低密度といった特性も備えているため、高い電圧感度という望ましい特性に加え、低い音響インピーダンスおよび機械インピーダンスも備えており、医療用途や水中用途に適しています。

PM の中でも、PZTセラミックは感度が高く、g 33値も高いため人気があります。しかし、脆く、キュリー温度も低いため、厳しい環境条件での用途には制約があります。しかし、プラスチック成形の産業機器にセラミックディスクを組み込むことは有望です。これにより PZT ポリマー複合材料が開発され、単純な熱溶接やコンフォーミングプロセスによって、機能性 PM 複合材料を大規模に統合することが可能になりました。鉛フリーセラミック PM に向けて、圧電単結晶(ランガサイト)、ペロブスカイト構造の強誘電体セラミック、ビスマス層状構造強誘電体(BLSF)など、いくつかのアプローチが報告されており、広く研究されています。また、ペロブスカイト構造を持ついくつかの強誘電体(BaTiO 3 [BT]、(Bi 1/2 Na 1/2 ) TiO 3 [BNT]、(Bi 1/2 K 1/2 ) TiO 3 [BKT]、KNbO 3 [KN]、(K, Na) NbO 3 [KNN]) の圧電特性が研究されています。

主要な圧電特性

次の表は圧電材料の以下の特性を示している。

  • 圧電係数(d 33d 31d 15など)は、印加電圧によって誘起されるひずみ(メートル/ボルトで表されます)を測定します。高いd ij係数は、モータ駆動型トランスデューサデバイスに必要な大きな変位を示します。係数d 33は、誘起電位と同じ方向(分極軸)の変形を測定し、d 31 は、分極軸に垂直に力が加えられた場合の応答を表します。係数d 15は、加えられた機械的応力がせん断変形によるものである場合の応答を測定します。
  • 相対誘電率(ε r )は、圧電材料の絶対誘電率εと真空誘電率ε 0の比です
  • 電気機械結合係数kは、圧電材料が電気エネルギーを機械エネルギーに変換する効率、または機械エネルギーを電気エネルギーに変換する効率を示す指標です。kの最初の添え字は電極が適用される方向を示し、2番目の添え字は機械エネルギーが適用される、または発生する方向を示します。
  • 機械的品質係数 Q mは、圧電セラミックスの重要な高出力特性です。これは、機械損失tan Φ の逆数です。

テーブル

単結晶
参照 特性評価に使用された材料とヘテロ構造(電極/材料、電極/基板) オリエンテーション 圧電係数、d(pC/N) 比誘電率、ε r 電気機械結合係数、k 品質係数
ハットソン 1963 [2] 窒化アルミニウム d 15 = -4.07パーセント ε 33 = 11.4
d 31 = -2
d 33 = 5
クックら 1963 [3] BaTiO 3 d 15 = 392 ε 11 = 2920 k 15 = 0.57
d 31 = -34.5 ε 33 = 168 k 31 = 0.315
d 33 = 85.6 k 33 = 0.56
ワーナーら 1967 [4] LiNbO 3 (Au-Au) <001> d 15 = 68 ε 11 = 84
d 22 = 21 ε 33 = 30
d 31 = -1 k 31 = 0.02
d 33 = 6 k t = 0.17
スミスら 1971 [5] ニオブ酸リチウム <001> d 15 = 69.2 ε 11 = 85.2
d 22 = 20.8 ε 33 = 28.2
d 31 = -0.85
d 33 = 6
山田ら 1967 [6] LiNbO 3 (Au-Au) <001> d 15 = 74 ε 11 = 84.6
d 22 = 21 ε 33 = 28.6 k 22 = 0.32
d 31 = -0.87 k 31 = 0.023
d 33 = 16 k 33 = 0.47
山田ら 1969 [7] リタオ3 d 15 = 26 ε 11 = 53
d 22 = 8.5 ε 33 = 44
d 31 = -3
d 33 = 9.2
曹ら 2002 [8] PMN-PT(33%) d 15 = 146 ε 11 = 1660 k 15 = 0.32
d 31 = -1330 ε 33 = 8200 k 31 = 0.59
d 33 = 2820 k 33 = 0.94
k t = 0.64
Badel et al. 2006 [9] PMN-25PT <110> d 31 = -643 ε 33 = 2560 k 31 = -0.73 362
コビアコフ 1980 [10] 酸化亜鉛 d 15 = -8.3 ε 11 = 8.67 k 15 = 0.199
d 31 = -5.12 ε 33 = 11.26 k 31 = 0.181
d 33 = 12.3 k 33 = 0.466
ズゴニクら 1994 [11] ZnO(リチウムドーパントを含む純粋) d 15 = -13.3 k r = 8.2
d 31 = -4.67
d 33 = 12.0
ズゴニクら 1994 [12] BaTiO 3単結晶 [001] (単一ドメイン) d 33 = 90
ズゴニクら 1994 [12] BaTiO 3単結晶 [111] (単一ドメイン) d 33 = 224
ズゴニクら 1994 [12] BaTiO 3単結晶 [111] 中性(ドメインサイズ100 µm) d 33 = 235 ε 33 = 1984 k 33 = 54.4
ズゴニクら 1994 [12] BaTiO 3単結晶 [111] 中性(ドメインサイズ60 µm) d 33 = 241 ε 33 = 1959 k 33 = 55.9
ズゴニクら 1994 [12] BaTiO 3単結晶 [111] (ドメインサイズ22 µm) d 33 = 256 ε 33 = 2008 k 33 = 64.7
ズゴニクら 1994 [12] BaTiO 3単結晶 [111] 中性(ドメインサイズ15 µm) d 33 = 274 ε 33 = 2853 k 33 = 66.1
ズゴニクら 1994 [12] BaTiO 3単結晶 [111] 中性(ドメインサイズ14 µm) d 33 = 289 ε 33 = 1962 k 33 = 66.7
ズゴニクら 1994 [12] BaTiO 3単結晶 [111] 中立 d 33 = 331 ε 33 = 2679 k 33 = 65.2
[13] LN結晶 d 31 = -4.5

d 33 = -0.27

李ら 2010 [14] PMNT31 d 33 = 2000 ε 33 = 5100 k 31 = 80
d 31 = -750
張ら 2002 [15] PMNT31-A 1400 ε 33 = 3600
張ら 2002 [15] PMNT31-B 1500 ε 33 = 4800
張ら 2002 [15] PZNT4.5 d 33 = 2100 ε 33 = 4400 k 31 = 83
d 31 = -900
張ら 2004 [16] PZNT8 d 33 = 2500 ε 33 = 6000 k 31 = 89
d 31 = -1300
張ら 2004 [16] PZNT12 d 33 = 576 ε 33 = 870 k 31 = 52
d 31 = -217
山下ら。 1997年[17] PSNT33 ε 33 = 960 /
安田ら 2001 [18] パイント28 700 ε 33 = 1500 /
郭ら 2003 [19] パイント34 2000 ε 33 = 5000 /
細野ら 2003 [20] ピムント 1950 ε 33 = 3630 /
張ら 2002 [15] PYNT40 d 33 = 1200 ε 33 = 2700 k 31 = 76
d 31 = -500
張ら 2012 [21] PYNT45 d 33 = 2000 ε 33 = 2000 k 31 = 78
張ら 2003 [22] BSPT57 d 33 = 1200 ε 33 = 3000 k 31 = 77
d 31 = -560
張ら 2003 [23] BSPT58 d 33 = 1400 ε 33 = 3200 k 31 = 80
d 31 = -670
張ら 2004 [16] BSPT66 d 33 = 440 ε 33 = 820 k 31 = 52
d 31 = -162
イェら 2008 [24] BSPT57 d 33 = 1150

d 31 = -520

ε 33 = 3000 k 31 = 0.52

k 33 = 0.91

イェら 2008 [24] BSPT66 d 33 = 440 ε 33 = 820 k 31 = 0.52

k 33 = 0.88

d 31 = -162
イェら 2008 [24] PZNT4.5 d 33 = 2000

d 31 = -970

ε 33 = 5200 k 31 = 0.50

k 33 = 0.91

イェら 2008 [24] PZNT8 d 31 = -1455 ε 33 = 7700 k 31 = 0.60

k 33 = 0.94

イェら 2008 [24] PZNT12 d 33 = 576

d 31 = -217

ε 33 = 870 k 31 = 0.52

k 33 = 0.86

イェら 2008 [24] PMNT33 d 33 = 2820

d 31 = -1330

ε 33 = 8200 k 31 = 0.59

k 33 = 0.94

松原ら 2004 [25] KCN修正KNN d 33 = 100

d 31 = -180

ε 33 = 220-330 k p = 33-39 1200
リュウら 2007 [26] KZT 修正KNN d 33 = 126 ε 33 = 590 k p = 42 58
松原ら 2005 [27] KCT修正KNN d 33 = 190 ε 33 = k p = 42 1300
王ら 2007 [28] Bi 2 O 3ドープKNN d 33 = 127 ε 33 = 1309 k p = 28.3
江ら 2009 [29] ドープKNN-0.005BF d 33 = 257 ε 33 = 361 k p = 52 45
陶芸
参照 特性評価に使用された材料とヘテロ構造(電極/材料、電極/基板) オリエンテーション 圧電係数、d(pC/N) 比誘電率、ε r 電気機械結合係数、k 品質係数
ベルリンコートら 1958 [30] BaTiO 3 d 15 = 270 ε 11 = 1440 k 15 = 0.57
d 31 = -79 ε 33 = 1680 k 31 = 0.49
d 33 = 191 k 33 = 0.47
タンら 2011 [31] BFO d 33 = 37 k t = 0.6
張ら 1999 [32] PMN-PT d 31 = -74 ε 33 = 1170 k 31 = -0.312 283
[33] PZT-5A d 31 = -171 ε 33 = 1700 k 31 = 0.34
d 33 = 374 k 33 = 0.7
[34] PZT-5H d 15 = 741 ε 11 = 3130 k 15 = 0.68 65
d 31 = -274 ε 33 = 3400 k 31 = 0.39
d 33 = 593 k 33 = 0.75
[35] PZT-5K d 33 = 870 ε 33 = 6200 k 33 = 0.75
田中ら 2009 [36] PZN7%PT d 33 = 2400 εr = 6500 k 33 = 0.94

k t = 0.55

パンら 2010 [37] アンズ d 33 = 295 1.61 45.5 84
パークら 2006 [38] KNN-BZ d 33 = 400 2 57.4 48
チョーら 2007 [39] KNN-BT d 33 = 225 1.06 36.0
パークら 2007 [40] KNN-ST d 33 = 220 1.45 40.0 70
趙ら 2007 [41] KNN-CT d 33 = 241 1.32 41.0
張ら 2006 [42] リンク d 33 = 314 約700 41.2
斎藤ら 2004 [43] KNN-LS d 33 = 270 1.38 50.0
斎藤ら 2004 [43] LF4 d 33 = 300 1.57
田中ら 2009 [36] 指向性LF4 d 33 = 416 1.57 61.0
パンら 2010 [37] アンズ d 33 = 295 1.61 45.5 84
パークら 2006 [38] KNN-BZ d 33 = 400 2 57.4 48
チョーら 2007 [44] KNN-BT d 33 = 225 1.06 36.0
パークら 2007 [40] KNN-ST d 33 = 220 1.45 40.0 70
マウリヤら 2013 [45] KNN-CT d 33 = 241 1.32 41.0
マウリヤら 2013 [45] NBT-BT (001) テクスチャサンプル d 33 = 322 ...
Gao et al. 2008 [46] NBT-BT-KBT (001) テクスチャサンプル d 33 = 192
ゾウら 2016 [47] NBT-KBT (001) テクスチャサンプル d 33 = 134 k p = 35
斎藤ら 2004 [43] NBT-KBT (001) テクスチャサンプル d 33 = 217 k p = 61
チャンら 2009 [48] KNLNTS (001) テクスチャサンプル d 33 = 416 k p = 64
チャンら 2011 [49] KNNS (001) テクスチャサンプル d 33 = 208 k p = 63
フセインら 2013 [50] KNLN (001) テクスチャサンプル d 33 = 192 k p = 60
高尾ら 2006 [51] KNNT (001) テクスチャサンプル d 33 = 390 k p = 54
李ら 2012 [52] KNN 1 CuO (001) テクスチャサンプル d 33 = 123 k p = 54
チョーら 2012 [53] KNN-CuO (001) テクスチャサンプル d 33 = 133 k p = 46
ハオら 2012 [54] NKLNT (001) テクスチャサンプル d 33 = 310 k p = 43
グプタら 2014 [55] KNLN (001) テクスチャサンプル d 33 = 254
ハオら 2012 [54] KNN (001) テクスチャサンプル d 33 = 180 k p = 44
バイら 2016 [56] BCZT (001) テクスチャサンプル d 33 = 470 k p = 47
イェら 2013 [57] BCZT (001) テクスチャサンプル d 33 = 462 k p = 49
シュルテイスら 2017 [58] BCZT-TH (001) テクスチャサンプル d 33 = 580
大森ら 1990 [59] BCT (001) テクスチャサンプル d 33 = 170
チャンら 2008 [60] Pz34(ドープPbTiO 3 d 15 = 43.3 ε 33 = 237 k 31 = 4.6 700
d 31 = -5.1 ε 33 = 208 k 33 = 39.6
d 33 = 46 k 15 = 22.8
k p = 7.4
リーら 2009 [61] BNKLBT d 33 = 163 εr = 766 k 31 = 0.188 142
ε 33 = 444.3 k t = 0.524
k p = 0.328
佐々木ら 1999 [62] KNLNTS εr = 1156 k 31 = 0.26 80
ε 33 = 746 k t = 0.32
k p = 0.43
竹中ら 1991 [63] (Bi 0.5 Na 0.5 )TiO 3 (BNT) ベースの BNKT d 31 = 46 εr = 650 k p = 0.27
d 33 = 150 k 31 = 0.165
田中ら 1960 [64] (Bi 0.5 Na 0.5 )TiO 3 (BNT) 系 BNBT d 31 = 40 εr = 580 k 31 = 0.19
d 33 = 12.5 k 33 = 0.55
ハットソン 1960 [65] カドミウム d 15 = -14.35
d 31 = -3.67
d 33 = 10.65
スコフィールドら 1957 [66] カドミウム d 31 = -1.53
d 33 = 2.56
エガートンら 1959 [67] バカオティ d 31 = -50 k 15 = 0.19 400
d 33 = 150 k 31 = 0.49
k 33 = 0.325
池田ら 1961 [68] ニオブ2オキソ d 31 = -11 k r = 0.07 11
d 33 = 80 k 31 = 0.045
k 33 = 0.042
池田ら 1962 [69] C 6 H 17 N 3 O 10 S d 23 = 84 k 21 = 0.18
d 21 = 22.7 k 22 = 0.18
d 25 = 22 k 23 = 0.44
ブラウンら 1962 [70] BaTiO 3 (95%) BaZrO 3 (5%) k 15 = 0.15 200
d 31 = -60 k 31 = 0.40
d 33 = 150 k 33 = 0.28
ヒューストン 1960 [65] BaNb 2 O 6 (60%) Nb 2 O 6 Pb (40%) d 31 = -25 k r = 0.16
バクスターら 1960 [71] BaNb 2 O 6 (50%) Nb 2 O 6 Pb (50%) d 31 = -36 k r = 0.16
プルリン 1962 [72] BaTiO 3 (97%) CaTiO 3 (3%) d 31 = -53 ε 33 = 1390 k 15 = 0.39
d 33 = 135 k 31 = 0.17
k 33 = 0.43
ベルリンコートら 1960 [73] BaTiO 3 (95%) CaTiO 3 (5%) d 15 = -257 ε 33 = 1355 k 15 = 0.495 500
d 31 = -58 k 31 = 0.19
d 33 = 150 k 33 = 0.49
k r = 0.3
ベルリンコートら 1960 [73] BaTiO 3 (96%) PbTiO 3 (4%) d 31 = -38 ε 33 = 990 k 15 = 0.34
d 33 = 105 k 31 = 0.14
k 33 = 0.39
ジャッフェら 1955 [74] PbHfO 3 (50%) PbTiO 3 (50%) d 31 = -54 k r = 0.38
ケル 1962 [75] Nb 2 O 6 Pb (80%) BaNb 2 O 6 (20%) d 31 = 25 k r = 0.20 15
ブラウンら 1962 [70] Nb 2 O 6 Pb (70%) BaNb 2 O 6 (30%) d 31 = -40 ε 33 = 900 k 31 = 0.13 350
d 33 = 100 k 33 = 0.3
k r = 0.24
ベルリンコートら 1960 [76] PbTiO 3 (52%) PbZrO 3 (48%) d 15 = 166 k 15 = 0.40 1170
d 31 = -43 k 31 = 0.17
d 33 = 110 k 33 = 0.43
k r = 0.28
ベルリンコートら 1960 [77] PbTiO 3 (50%) ジルコン酸鉛 (50%) d 15 = 166 k 15 = 0.504 950
d 31 = -43 k 31 = 0.23
d 33 = 110 k 33 = 0.546
k r = 0.397
エガートンら 1959 [67] KNbO 3 (50%) NaNbO 3 (50%) d 31 = -32 140
d 33 = 80 k 31 = 0.21
k 33 = 0.51
ブラウンら 1962 [70] NaNbO 3 (80%) Cd 2 Nb 2 O 7 (20%) d 31 = -80 ε 33 = 2000 k 31 = 0.17
d 33 = 200 k 33 = 0.42
k r = 0.30
スコフィールドら 1957 [66] BaTiO 3 (95%) CaTiO 3 (5%) CoCO 3 (0.25%) d 31 = -60 ε 33 = 1605 k r = 0.33
プルリン 1962 [72] BaTiO 3 (80%) PbTiO 3 (12%) CaTiO 3 (8%) d 31 = -31 k 31 = 0.15 1200
d 33 = 79 k 33 = 0.41
k r = 0.24
デファイ 2011 [78] AlN(Pt-Mo) d 31 = -2.5
柴田ら 2011 [79] KNN(Pt-Pt) <001> d 31 = -96.3 εr = 1100
d 33 = 138.2
セスラー 1981 [80] PVDF d 31 = 17.9 k 31 = 10.3
d 32 = 0.9 k 33 = 12.6
d 33 = -27.1
レンら 2017 [81] PVDF d 31 = 23 εr = 106
d 32 = 2
d 33 = -21
坪内ら 1981 [82] エピAlN/Al 2 O 3 <001> d 33 = 5.53 ε 33 = 9.5 k t = 6.5 2490
ナノ材料
参照 材料 構造 圧電係数、d(pC/N) 特性評価方法 サイズ(nm)
Ke et al. 2008 [83] NaNbO3 ナノワイヤ d 33 = 0.85-4.26 pm/V PFM d = 100
王ら 2008 [84] KNbO 3 ナノワイヤ d 33 = 0.9 pm/V PFM d = 100
張ら 2004 [85] PZT ナノワイヤ PFM d = 45
趙ら 2004 [86] 酸化亜鉛 ナノベルト d 33 = 14.3-26.7 pm/V PFM 幅 = 360 高さ = 65
羅ら 2003 [87] PZT ナノシェル d 33 = 90 pm/V PFM d = 700 t = 90
ユンら 2002 [88] BaTiO 3 ナノワイヤ d 33 = 0.5 pm/V PFM d = 120
リンら 2008 [89] カドミウム ナノワイヤ AFMチップで曲げる d = 150
王ら 2007 [90] PZT ナノファイバー 圧電電圧定数〜0.079 Vm/N タングステンプローブを使用した曲げ d = 10
王ら 2007 [91] BaTiO 3 - d 33 = 45 pC/N 直接引張試験 d ~ 280
チョンら 2014 [92] アルカリニオブ酸塩(KNLN) d 33 = 310 pC/N -
パークら 2010 [93] BaTiO 3 薄膜 d 33 = 190 pC/N
ストッペルら 2011 [94] 窒化アルミニウム 薄膜 d 33 =5 pC/N 原子間力顕微鏡(AFM)
リーら 2017 [95] WSe 2 2Dナノシート d 11 = 3.26 pm/V
朱ら 2014 [96] 二硫化モリブデン2 自立層 e 11 = 2900個/m 原子間力顕微鏡(AFM)
鍾ら 2017 [97] PET/EVA/PET d 33 = 6300 pC/N

参考文献

  1. ^ Liu, Huicong; Zhong, Junwen; Lee, Chengkuo; Lee, Seung-Wuk; Lin, Liwei (2018年12月). 「圧電エネルギーハーベスティング技術に関する包括的レビュー:材料、メカニズム、および応用」. Applied Physics Reviews . 5 (4): 041306. Bibcode :2018ApPRv...5d1306L. doi :10.1063/1.5074184. ISSN  1931-9401. S2CID  117451095.
  2. ^ ハットソン、アンドリューR.「窒化アルミニウムを利用した圧電デバイス」米国特許第3,090,876号、1963年5月21日発行。
  3. ^ Cook, WR; Berlincourt, DA; Scholz, FJ (1963年5月). 「チタン酸ジルコン酸鉛およびチタン酸バリウムの熱膨張と焦電性」. Journal of Applied Physics . 34 (5): 1392– 1398. Bibcode :1963JAP....34.1392C. doi :10.1063/1.1729587. ISSN  0021-8979.
  4. ^ Warner, AW; Onoe, M.; Coquin, GA (1967年12月). 「クラス(3m)の結晶の弾性定数と圧電定数の測定」.アメリカ音響学会誌. 42 (6): 1223– 1231. Bibcode :1967ASAJ...42.1223W. doi :10.1121/1.1910709. ISSN  0001-4966.
  5. ^ Smith, RT; Welsh, FS (1971年5月). 「タンタル酸リチウムとニオブ酸リチウムの弾性定数、圧電定数、誘電定数の温度依存性」. Journal of Applied Physics . 42 (6): 2219– 2230. Bibcode :1971JAP....42.2219S. doi :10.1063/1.1660528. ISSN  0021-8979.
  6. ^ 山田智明; 新関信一; 豊田博夫 (1967年2月). 「ニオブ酸リチウム単結晶の圧電特性と弾性特性」.応用物理学会誌. 6 (2): 151– 155. Bibcode :1967JaJAP...6..151Y. doi :10.1143/jjap.6.151. ISSN  0021-4922. S2CID  122641950.
  7. ^ 山田智明;岩崎 洋新関伸和(1969年9月) 「LiTaO3 の圧電特性と弾性特性: 温度特性」。応用物理学雑誌8 (9): 1127–1132ビブコード:1969JaJAP...8.1127Y。土井10.1143/jjap.8.1127ISSN  0021-4922。S2CID  120188917。
  8. ^ Cao, Hu; Luo, Haosu (2002年1月). 「Pb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O 3 -38%PbTiO 3 単結晶の弾性、圧電性、誘電特性」.強誘電体. 274 (1): 309– 315. Bibcode :2002Fer...274..309C. doi :10.1080/00150190213965. ISSN  0015-0193. S2CID  122744640.
  9. ^ Badel, A.; Benayad, A.; Lefeuvre, E.; Lebrun, L.; Richard, C.; Guyomar, D. (2006年4月). 「優れた振動駆動型発電機のための単結晶と非線形プロセス」. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control . 53 (4): 673– 684. Bibcode :2006ITUFF..53..673B. doi :10.1109/TUFFC.2006.1621494. ISSN  0885-3010. PMID  16615571.
  10. ^ Kobiakov, IB (1980年7月). 「広範囲の温度範囲におけるZnOおよびCdS単結晶の弾性、圧電性、誘電特性」. Solid State Communications . 35 (3): 305– 310. Bibcode :1980SSCom..35..305K. doi :10.1016/0038-1098(80)90502-5. ISSN  0038-1098.
  11. ^ Zgonik, M.; Bernasconi, P.; Duelli, M.; Schlesser, R.; Günter, P.; Garrett, MH; Rytz, D.; Zhu, Y.; Wu, X. (1994年9月). 「BaTiO 3結晶の誘電テンソル、弾性テンソル、圧電テンソル、電気光学テンソル、弾性光学テンソル」. Physical Review B. 50 ( 9): 5941– 5949. Bibcode :1994PhRvB..50.5941Z. doi :10.1103/physrevb.50.5941. ISSN  0163-1829. PMID  9976963.
  12. ^ abcdefgh Zgonik, M.; Bernasconi, P.; Duelli, M.; Schlesser, R.; Günter, P.; Garrett, MH; Rytz, D.; Zhu, Y.; Wu, X. (1994年9月). 「BaTiO 3結晶の誘電テンソル、弾性テンソル、圧電テンソル、電気光学テンソル、弾性光学テンソル」. Physical Review B. 50 ( 9): 5941– 5949. Bibcode :1994PhRvB..50.5941Z. doi :10.1103/physrevb.50.5941. ISSN  0163-1829. PMID  9976963.
  13. ^ 「LiNbO3の特性」unitedcrystals.com . 2020年1月26日閲覧
  14. ^ Li, Fei; Zhang, Shujun; Xu, Zhuo; Wei, Xiaoyong; Luo, Jun; Shrout, Thomas R. (2010-04-15). 「ドメインエンジニアリングされた正方晶Pb(In 1/2 Nb 1/2 )O 3 -Pb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O 3 -PbTiO 3結晶の電気機械的特性と関連する温度特性の調査」. Journal of the American Ceramic Society . 93 (9): 2731– 2734. doi :10.1111/j.1551-2916.2010.03760.x. ISSN  0002-7820.
  15. ^ abcd Zhang, Shujun; Laurent, Lebrun; Rhee, Sorah; Randall, Clive A.; Shrout, Thomas R. (2002-07-29). 「Pb(Yb 1/2 Nb 1/2 )O 3 –PbTiO 3単結晶のせん断モード圧電特性」. Applied Physics Letters . 81 (5): 892– 894. Bibcode :2002ApPhL..81..892Z. doi :10.1063/1.1497435. ISSN  0003-6951.
  16. ^ abc Zhang, Shujun; Randall, Clive A.; Shrout, Thomas R. (2004年7月). 「単ドメイン正方晶BiScO 3 -PbTiO 3単結晶の誘電特性、圧電特性、弾性特性」. Solid State Communications . 131 (1): 41– 45. Bibcode :2004SSCom.131...41Z. doi :10.1016/j.ssc.2004.04.016. ISSN  0038-1098.
  17. ^ 山下 洋八; 原田 幸一 (1997-09-30). "ニオブ酸鉛スカンジウム-チタン酸鉛二元系単結晶の結晶成長と電気的特性".応用物理学会誌. 36 (第1部, 第9B号): 6039– 6042. Bibcode :1997JaJAP..36.6039Y. doi :10.1143/jjap.36.6039. ISSN  0021-4922. S2CID  250802280.
  18. ^ 安田 暢; 大和 秀; 久米 正; 林 健; 細野 雄; 山下 雄一 (2001年7月). 「ニオブ酸鉛インジウム-チタン酸鉛二元単結晶の結晶成長と電気的特性」. Journal of Crystal Growth . 229 ( 1–4 ): 299– 304. Bibcode :2001JCrGr.229..299Y. doi :10.1016/s0022-0248(01)01161-7. ISSN  0022-0248.
  19. ^ Guo, Yiping; Luo, Haosu; He, Tianhou; Pan, Xiaoming; Yin, Zhiwen (2003年4月). 「高キュリー温度Pb(In 1/2 Nb 1/2 )O 3 –PbTiO 3単結晶の電界誘起ひずみと圧電特性」. Materials Research Bulletin . 38 (5): 857– 864. doi :10.1016/s0025-5408(03)00043-6. ISSN  0025-5408.
  20. ^ 細野康治; 山下洋八; 坂本英也; 一ノ瀬昇 (2003-09-30). "溶液ブリッジマン法によるPb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3およびPb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3圧電単結晶の結晶成長". 応用物理学会誌. 42 (Part 1, No. 9B): 6062– 6067. Bibcode :2003JaJAP..42.6062H. doi : 10.1143/jjap.42.6062 . ISSN  0021-4922. S2CID  120150824。
  21. ^ 張 淑軍; ルブラン ローラン; ランドール クライヴ A.; シュラウト トーマス R. (2012-04-25)「Pb(Yb 1/2 Nb 1/2 )O 3 -PbTiO 3および BiScO 3 -PbTiO 3系における高キュリー温度、高性能ペロブスカイト単結晶」、セラミック取引シリーズ、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ社、pp.  85– 93、doi :10.1002/9781118380802.ch7、ISBN 978-1-118-38080-2
  22. ^ Zhang, Shujun; Randall, Clive A.; Shrout, Thomas R. (2003-10-13). 「BiScO 3 -PbTiO 3ペロブスカイト系における高キュリー温度圧電結晶」. Applied Physics Letters . 83 (15): 3150– 3152. Bibcode :2003ApPhL..83.3150Z. doi :10.1063/1.1619207. ISSN  0003-6951.
  23. ^ Zhang, Shujun; Randall, Clive A.; Shrout, Thomas R. (2003年10月). 「菱面体晶BiScO3-PbTiO3単結晶の温度依存性における電気機械特性」. Japanese Journal of Applied Physics . 42 (Part 2, No. 10A): L1152 – L1154 . Bibcode :2003JaJAP..42L1152Z. doi : 10.1143/jjap.42.l1152 . ISSN  0021-4922. S2CID  120306552.
  24. ^ abcdef Ye, Zuo-Guang; Ye, Zuo-Guang編 (2008年4月).先進誘電体、圧電体、強誘電体材料ハンドブック. CRC Press. doi :10.1201/9781439832882 (2025年7月12日現在非アクティブ). ISBN 978-1-4200-7085-9{{cite book}}: CS1 maint: DOIは2025年7月時点で非アクティブです(リンク
  25. ^ 松原正人;山口敏明菊田耕一;平野 伸一 (2004-10-08) 「新規焼結助剤を用いた(K,Na)NbO 3セラミックスの焼結性と圧電特性」。応用物理学雑誌43 (10): 7159–7163書誌コード:2004JaJAP..43.7159M。土井:10.1143/jjap.43.7159。ISSN  0021-4922。S2CID  93156866。
  26. ^ Ryu, Jungho; Choi, Jong-jin; Hahn, Byung-dong; Park, Dong-soo; Yoon, Woon-ha; Kim, Kun-young (2007年12月). 「KZTを添加したKNNセラミックスの焼結と圧電特性」. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control . 54 (12): 2510– 2515. Bibcode :2007ITUFF..54.2510R. doi :10.1109/tuffc.2007.569. ISSN  0885-3010. PMID  18276547. S2CID  1947693.
  27. ^ 松原 正人; 山口 俊明; 菊田 浩一; 平野 真一 (2005-01-11). 「新開発焼結助剤を用いたニオブ酸カリウムナトリウムセラミックスの焼結と圧電特性」.応用物理学会誌. 44 (1A): 258– 263. Bibcode :2005JaJAP..44..258M. doi :10.1143/jjap.44.258. ISSN  0021-4922. S2CID  121788834.
  28. ^ Wang, Ying; Li, Yongxiang; Kalantar-zadeh, K.; Wang, Tianbao; Wang, Dong; Yin, Qingrui (2007-09-13). 「K x Na 1−x NbO 3の圧電特性に対するBi3+イオンの影響」. Journal of Electroceramics . 21 ( 1–4 ): 629– 632. doi :10.1007/s10832-007-9246-8. ISSN  1385-3449. S2CID  136916970.
  29. ^ Jiang, Minhong; Liu, Xinyu; Chen, Guohua; Zhou, Changrong (2009年6月). 「LiSbO 3ドープ0.995 K 0.5 Na 0.5 NbO 3 –0.005BiFeO 3圧電セラミックスの誘電特性と圧電特性」. Materials Letters . 63 (15): 1262– 1265. doi :10.1016/j.matlet.2009.02.066. ISSN  0167-577X.
  30. ^ Berlincourt, Don; Jaffe, Hans (1958-07-01). 「単結晶チタン酸バリウムの弾性係数と圧電係数」. Physical Review . 111 (1): 143– 148. Bibcode :1958PhRv..111..143B. doi :10.1103/physrev.111.143. ISSN  0031-899X.
  31. ^ Tang, Xianwu; Dai, Jianming; Zhu, Xuebin; Lin, Jianchao; Chang, Qing; Wu, Dajun; Song, Wenhai; Sun, Yuping (2011-11-04). 「化学溶液堆積法で作製したBiFeO 3薄膜の厚さ依存誘電特性、強誘電特性、および磁気誘電特性」アメリカセラミックス協会誌. 95 (2): 538– 544. doi :10.1111/j.1551-2916.2011.04920.x. ISSN  0002-7820.
  32. ^ Zhang, QM; Jianzhong Zhao (1999年11月). 「機械的応力の影響下におけるチタン酸ジルコン酸鉛圧電セラミックスの電気機械特性」. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control . 46 (6): 1518– 1526. doi :10.1109/58.808876. ISSN  0885-3010. PMID  18244349. S2CID  22968703.
  33. ^ 「強誘電体デバイスの将来」、強誘電体デバイス第2版、CRC Press、2009年11月4日、pp.  297– 338、doi :10.1201/b15852-12(2025年7月12日非アクティブ)、ISBN 978-1-4398-0375-2{{citation}}: CS1 maint: DOIは2025年7月時点で非アクティブです(リンク
  34. ^ 「スマートソリューションのパートナー」CTS . 2020年1月26日閲覧
  35. ^ モーガンエレクトロセラミックス株式会社 (http://www.morganelectroceramics.com )
  36. ^ ab 田中 大輔; 塚田 健夫; 古川 正人; 和田 聡; 黒岩 良弘 (2009-09-24). 「アルカリニオブ酸塩系鉛フリー圧電セラミックスの熱信頼性」.応用物理学会誌. 48 (9) 09KD08. Bibcode :2009JaJAP..48iKD08T. doi :10.1143/jjap.48.09kd08. ISSN  0021-4922. S2CID  120110825.
  37. ^ ab Pang, Xuming; Qiu, Jinhao; Zhu, Kongjun (2010-10-07). 「ニオブ酸ナトリウム-カリウム鉛フリー圧電セラミックスのモルフォトロピック相境界」アメリカセラミックス協会誌. 94 (3): 796– 801. doi :10.1111/j.1551-2916.2010.04143.x. ISSN  0002-7820.
  38. ^ ab Park, Hwi-Yeol; Ahn, Cheol-Woo; Song, Hyun-Cheol; Lee, Jong-Heun; Nahm, Sahn; Uchino, Kenji; Lee, Hyeung-Gyu; Lee, Hwack-Joo (2006-08-07). 「0.95(Na 0.5 K 0.5 )NbO 3 –0.05BaTiO 3セラミックスの微細構造と圧電特性」. Applied Physics Letters . 89 (6): 062906. Bibcode :2006ApPhL..89f2906P. doi :10.1063/1.2335816. ISSN  0003-6951.
  39. ^ Cho, Kyung-Hoon; Park, Hwi-Yeol; Ahn, Cheol-Woo; Nahm, Sahn; Uchino, Kenji; Park, Seung-Ho; Lee, Hyeung-Gyu; Lee, Hwack-Joo (2007年6月). "0.95(Na 0.5 K 0.5 )NbO 3 -0.05SrTiO 3セラミックスの微細構造と圧電特性". Journal of the American Ceramic Society . 90 (6): 1946– 1949. doi :10.1111/j.1551-2916.2007.01715.x. ISSN  0002-7820.
  40. ^ ab Park, Hwi-Yeol; Cho, Kyung-Hoon; Paik, Dong-Soo; Nahm, Sahn; Lee, Hyeung-Gyu; Kim, Duk-Hee (2007-12-15). 「鉛フリー(1−x)(Na 0.5 K 0.5 )NbO 3 -xCaTiO 3セラミックスの微細構造と圧電特性」. Journal of Applied Physics . 102 (12): 124101–124101–5. Bibcode :2007JAP...102l4101P. doi :10.1063/1.2822334. ISSN  0021-8979.
  41. ^ Zhao, Pei; Zhang, Bo-Ping; Li, Jing-Feng (2007-06-11). 「最適温度で焼結したLi修飾鉛フリー(Na,K)NbO 3セラミックスの高い圧電d33係数」. Applied Physics Letters . 90 (24): 242909. Bibcode :2007ApPhL..90x2909Z. doi :10.1063/1.2748088. ISSN  0003-6951.
  42. ^ 張、秀順;夏、露。シュラウト、トーマス R.張、国忠。王金峰 (2006-11-15)。 「ペロブスカイト 0.948(K 0.5 Na 0.5 )NbO 3 –0.052LiSbO 3鉛フリーセラミックの圧電特性」。応用物理学ジャーナル100 (10): 104108–104108–6。Bibcode :2006JAP...100j4108Z。土井:10.1063/1.2382348。ISSN  0021-8979。
  43. ^ abc 斉藤康義;高尾、久明;谷 俊彦野々山龍彦高取 一正;本間貴彦;長屋利篤;中村 雅也 (2004-10-31) 「鉛フリー圧電セラミックス」。自然432 (7013): 84–87書誌コード:2004Natur.432...84S。土井:10.1038/nature03028. ISSN  0028-0836。PMID  15516921。S2CID 4352954  。
  44. ^ Cho, Kyung-Hoon; Park, Hwi-Yeol; Ahn, Cheol-Woo; Nahm, Sahn; Uchino, Kenji; Park, Seung-Ho; Lee, Hyeung-Gyu; Lee, Hwack-Joo (2007年6月). "0.95(Na 0.5 K 0.5 )NbO 3 -0.05SrTiO 3セラミックスの微細構造と圧電特性". Journal of the American Ceramic Society . 90 (6): 1946– 1949. doi :10.1111/j.1551-2916.2007.01715.x. ISSN  0002-7820.
  45. ^ ab Maurya, Deepam; Zhou, Yuan; Yan, Yongke; Priya, Shashank (2013). 「巨大圧電応答を示す粒配向鉛フリー圧電Na 0.5 Bi 0.5 TiO 3 –BaTiO 3セラミックスの合成メカニズム」. Journal of Materials Chemistry C. 1 ( 11): 2102. doi :10.1039/c3tc00619k. ISSN  2050-7526.
  46. ^ ガオ、フェン;劉香春。チャン・チャンソン。チェン、リーホン。ティアン・チャンシェン (2008 年 3 月)。 「反応性テンプレート粒子成長によるテクスチャード加工された (Na,K) 0.5 Bi 0.5 TiO 3セラミックスの製造と電気的特性」。セラミックスインターナショナル34 (2): 403–408土井:10.1016/j.ceramint.2006.10.017。ISSN  0272-8842。
  47. ^ Zou, Hua; Sui, Yongxing; Zhu, Xiaoqing; Liu, Bo; Xue, Jianzhong; Zhang, Jianhao (2016年12月). 「<00l>テクスチャBNTベース材料におけるテクスチャ発達と電気機械特性の向上」. Materials Letters . 184 : 139– 142. Bibcode :2016MatL..184..139Z. doi : 10.1016/j.matlet.2016.08.039 . ISSN  0167-577X.
  48. ^ Chang, Yunfei; Poterala, Stephen F.; Yang, Zupei; Trolier-McKinstry, Susan; Messing, Gary L. (2009-12-07). 「⟨001⟩ テクスチャード (K0.5Na0.5)(Nb0.97Sb0.03)O3 圧電セラミックスによる広い温度範囲での高電気機械結合」. Applied Physics Letters . 95 (23): 232905. doi : 10.1063/1.3271682 . ISSN  0003-6951.
  49. ^ Chang, Yunfei; Poterala, Stephen; Yang, Zupei; Messing, Gary L. (2011-03-24). 「テクスチャード加工された(K 0.5 Na 0.5 )NbO 3系圧電セラミックスの電気機械特性と温度安定性の向上」. Journal of the American Ceramic Society . 94 (8): 2494– 2498. doi :10.1111/j.1551-2916.2011.04393.x. ISSN  0002-7820.
  50. ^ フセイン、アリ;キム・ジンス;ソン・テグォン。キム・ミョンホ。キム・ウォンジョン;キム・サンス(2013年8月) 「NN テンプレートを使用した反応性テンプレート粒子成長によるテクスチャード KNNT セラミックスの製造」。現在の応用物理学13 (6): 1055–1059ビブコード:2013CAP....13.1055H。土井:10.1016/j.cap.2013.02.013。ISSN  1567-1739。
  51. ^ 高尾久明;斉藤康義;青木良文;堀渕佳代(2006年8月) 「焼結助剤CuOを用いた結晶配向(K 0.5 Na 0.5 )NbO 3圧電セラミックスの微細構造進化」。アメリカセラミック協会のジャーナル89 (6): 1951 ~ 1956 年。土井:10.1111/j.1551-2916.2006.01042.x。ISSN  0002-7820。
  52. ^ Li, Yali; Hui, Chun; Wu, Mengjia; Li, Yongxiang; Wang, Youliang (2012年1月). 「スクリーン印刷多層粒成長法によって作製されたテクスチャード(K 0.5 Na 0.5)NbO 3セラミックス」. Ceramics International . 38 : S283 – S286 . doi :10.1016/j.ceramint.2011.04.102. ISSN  0272-8842.
  53. ^ Cho, HJ; Kim, M.-H.; Song, TK; Lee, JS; Jeon, J.-H. (2012-04-13). 「テンプレート粒成長法を用いたテクスチャード(Na 0.50 K 0.47 Li 0.03 )(Nb 0.8 Ta 0.2 )O 3セラミックスの圧電特性および強誘電特性」Journal of Electroceramics . 30 ( 1–2 ): 72– 76. doi :10.1007/s10832-012-9721-8. ISSN  1385-3449. S2CID  138436905.
  54. ^ ab Hao, Jigong; Ye, Chenggen; Shen, Bo; Zhai, Jiwei (2012-04-25). 「大ひずみにおける〈001〉配向鉛フリー(K x Na 1 − x0.946 Li 0.054 NbO 3セラミックスの圧電特性の向上」. Physica Status Solidi A. 209 ( 7): 1343– 1349. doi :10.1002/pssa.201127747. ISSN  1862-6300. S2CID  121548719.
  55. ^ Gupta, Shashaank; Belianinov, Alexei; Baris Okatan, Mahmut; Jesse, Stephen; Kalinin, Sergei V.; Priya, Shashank (2014-04-28). 「⟨001⟩pc テクスチャード K 0.5 Na 0.5 NbO 3セラミックの圧電応答振幅に対する根本的な限界」. Applied Physics Letters . 104 (17): 172902. Bibcode :2014ApPhL.104q2902G. doi :10.1063/1.4874648. ISSN  0003-6951.
  56. ^ 白、王峰;チェン、ダーキン。リー、ペン。シェン、ボー。ザイ、ジーウェイ。 Ji Zhenguo (2016 年 2 月) 「<00l>テクスチャー(Ba 0.85 Ca 0.15 )(Zr 0.1 Ti 0.9 )O 3鉛フリー圧電セラミックにおける電気機械特性の向上」。セラミックスインターナショナル42 (2): 3429–3436土井:10.1016/j.ceramint.2015.10.139。ISSN  0272-8842。
  57. ^ Ye, Shukai; Fuh, Jerry; Lu, Li; Chang, Ya-lin; Yang, Jer-Ren (2013). 「ホットプレス法による鉛フリー(Ba 0.8 5Ca 0.15 )(Zr 0.1 Ti 0.9 )O 3圧電セラミックスの構造と特性」. RSC Advances . 3 (43): 20693. Bibcode :2013RSCAd...320693Y. doi :10.1039/c3ra43429j. ISSN  2046-2069.
  58. ^ シュルタイス、ヤン;クレメンス、オリバー。ジューコフ、セルゲイ。フォン・ゼガーン、ハインツ。坂本 渉;コルザ、ジュリジ (2017-03-03)。 「Ba 0.85 Ca 0.15 TiO 3圧電セラミックの強誘電特性および圧電特性に対する結晶組織の程度の影響」。アメリカセラミック協会のジャーナル100 (5): 2098 – 2107。土井:10.1111/jace.14749。ISSN  0002-7820。
  59. ^ 大森 剛志; 鈴木 秀; 三瓶 毅; 矢向 健志; 金子 毅 (1990). 「高性能軟磁性材料「フェロパーム」」.日本金属学会誌. 29 (5): 364– 366. doi : 10.2320/materia1962.29.364 . ISSN  0021-4426.
  60. ^ チャンら、2008
  61. ^ Leeら、2009
  62. ^ 佐々木淳;千葉達也間宮洋一;大月 悦夫 (1999-09-30) 「(Bi 0.5 Na 0.5 )TiO 3 –(Bi 0.5 K 0.5 )TiO 3系の誘電特性および圧電特性」。応用物理学雑誌38 (パート 1、No. 9B): 5564–5567書誌コード:1999JaJAP..38.5564S。土井:10.1143/jjap.38.5564。ISSN  0021-4922。S2CID  118366580。
  63. ^ 竹中正;丸山 圭一;坂田 耕一郎 (1991-09-30) 「鉛フリー圧電セラミックス用の(Bi 1/2 Na 1/2 )TiO 3 -BaTiO 3システム」。応用物理学雑誌30 (パート 1、No. 9B): 2236–2239Bibcode :1991JaJAP..30.2236T。土井:10.1143/jjap.30.2236。ISSN  0021-4922。S2CID  124093028。
  64. ^ 田中俊夫; 田中昭二 (1960-04-15). 「CdS結晶の圧電定数測定」.日本物理学会誌. 15 (4): 726. Bibcode :1960JPSJ...15..726T. doi :10.1143/jpsj.15.726. ISSN  0031-9015.
  65. ^ ab Hutson, AR (1960-05-15). 「ZnOとCdSの圧電性と伝導性」. Physical Review Letters . 4 (10): 505– 507. Bibcode :1960PhRvL...4..505H. doi :10.1103/physrevlett.4.505. ISSN  0031-9007.
  66. ^ ab Schofield, D.; Brown, RF (1957-05-01). 「トランスデューサー用途におけるチタン酸バリウム組成の検討」. Canadian Journal of Physics . 35 (5): 594– 607. Bibcode :1957CaJPh..35..594S. doi :10.1139/p57-067. ISSN  0008-4204.
  67. ^ ab EGERTON, L.; DILLON, DOLORES M. (1959年9月). 「ニオブ酸カリウム-ナトリウム系セラミックスの圧電特性と誘電特性」. Journal of the American Ceramic Society . 42 (9): 438– 442. doi :10.1111/j.1151-2916.1959.tb12971.x. ISSN  0002-7820.
  68. ^ 池田卓郎; 田中洋一; 豊田博夫 (1961-12-15). 「硫酸トリグリシンの圧電特性」.日本物理学会誌. 16 (12): 2593– 2594. Bibcode :1961JPSJ...16.2593I. doi :10.1143/jpsj.16.2593. ISSN  0031-9015.
  69. ^ 池田卓郎; 田中洋一; 豊田博夫 (1962年1月). 「トリグリシン硫酸塩の圧電特性」.応用物理学会誌. 1 (1): 13– 21. Bibcode :1962JaJAP...1...13I. doi :10.1143/jjap.1.13. ISSN  0021-4922. S2CID  250862299.
  70. ^ abc Brown, CS; Kell, RC; Taylor, R.; Thomas, LA (1962). 「圧電材料」. Proceedings of the IEE - Part B: Electronic and Communication Engineering . 109 (43): 99. doi :10.1049/pi-b-2.1962.0169. ISSN  0369-8890.
  71. ^ BAXTER, P.; HELLICAR, NJ (1960年11月). 「ニオブ酸鉛バリウムおよび関連材料の電気的特性」. Journal of the American Ceramic Society . 43 (11): 578– 583. doi :10.1111/j.1151-2916.1960.tb13619.x. ISSN  0002-7820.
  72. ^ ab Pullin, ADE (1962年8月). 「統計力学 Norman Davidson. McGraw-Hill Publishing Co. Ltd., London: McGraw-Hill Book Company, Inc., New York, 1962. pp. ix + 540. £5.12.6」. Talanta . 9 (8): 747. doi :10.1016/0039-9140(62)80173-8. ISSN  0039-9140.
  73. ^ ab Berlincourt, D.; Jaffe, B.; Jaffe, H.; Krueger, HHA (1960年2月). 「チタン酸ジルコン酸鉛セラミックスのトランスデューサー特性」. IRE Transactions on Ultrasonic Engineering . 7 (1): 1– 6. doi :10.1109/t-pgue.1960.29253. ISSN  0096-1019. S2CID  51638579.
  74. ^ Jaffe, B.; Roth, RS; Marzullo, S. (1955年11月). 「チタン酸鉛-ジルコン酸鉛-酸化鉛固溶体系圧電セラミックスの特性:酸化スズおよびチタン酸鉛-ハフニウム酸鉛」.米国国立標準局研究ジャーナル. 55 (5): 239. doi : 10.6028/jres.055.028 . ISSN  0091-0635.
  75. ^ Kell, RC (1962). 「ニオブ酸系高温圧電セラミックスの特性」. Proceedings of the IEE - Part B: Electronic and Communication Engineering . 109 (22S): 369– 373. doi :10.1049/pi-b-2.1962.0065. ISSN  2054-0418.
  76. ^ Berlincourt, D.; Cmolik, C.; Jaffe, H. (1960年2月). 「多結晶チタン酸ジルコン酸鉛組成物の圧電特性」. Proceedings of the IRE . 48 (2): 220– 229. doi :10.1109/jrproc.1960.287467. ISSN  0096-8390. S2CID  51673445.
  77. ^ Berlincourt, D.; Cmolik, C.; Jaffe, H. (1960年2月). 「多結晶チタン酸ジルコン酸鉛組成物の圧電特性」. Proceedings of the IRE . 48 (2): 220– 229. doi :10.1109/jrproc.1960.287467. ISSN  0096-8390. S2CID  51673445.
  78. ^ Defaÿ, Emmanuel (2011-03-14).強誘電体と圧電薄膜の統合. doi :10.1002/9781118616635. ISBN 978-1-118-61663-5
  79. ^ 柴田健司;末永和史;渡辺和俊;堀切文正野本 章;三島 知義 (2011-04-20) 「スパッタリングにより堆積された(K,Na)NbO 3膜の圧電特性の改善」。応用物理学雑誌50 (4) 041503。書誌コード:2011JaJAP..50d1503S。土井:10.1143/jjap.50.041503。ISSN  0021-4922。S2CID  97530996。
  80. ^ セスラー、GM (1981 年 12 月)。 「ポリフッ化ビニリデンの圧電性」。アメリカ音響学会誌70 (6): 1596–1608書誌コード:1981ASAJ...70.1596S。土井:10.1121/1.387225。ISSN  0001-4966。
  81. ^ レン・バイヤン、チョ・ファンジョン、リッセンデン・クリフ (2017年3月1日). 「ラム波とシアー水平波の両方の波数-周波数同時解析を可能にするガイド波センサー」.センサー. 17 (3): 488.書誌コード:2017Senso..17..488R. doi : 10.3390/s17030488 . ISSN  1424-8220. PMC 5375774. PMID 28257065  . 
  82. ^ 坪内 憲治; 菅井 憲治; 御子柴 暢 (1981). 「AlN材料定数の評価とAlN/Al 2 O 3およびAlN/SiにおけるSAW特性」. 1981年超音波シンポジウム. IEEE. pp.  375– 380. doi :10.1109/ultsym.1981.197646.
  83. ^ 柯、宗英;チェン、シャンアン。シュー、ヒューシュエン。そう、ジエンウェイ。リン、ヘナン。イ・チヨン。邱、新天 (2008-05-27)。 「ニオブ酸ナトリウムナノワイヤーとその圧電性」。物理化学ジャーナル C112 (24): 8827–8831土井:10.1021/jp711598j。ISSN  1932-7447。
  84. ^ Wang, J.; Stampfer, C.; Roman, C.; Ma, WH; Setter, N .; Hierold, C. (2008年12月). 「二重クランプKNbO3ナノワイヤの圧電応答力顕微鏡法」. Applied Physics Letters . 93 (22): 223101. Bibcode :2008ApPhL..93v3101W. doi :10.1063/1.3000385. ISSN  0003-6951.
  85. ^ Zhang, XY; Zhao, X.; Lai, CW; Wang, J.; Tang, XG; Dai, JY (2004年11月). 「高度に秩序化されたPb(Zr 0.53 Ti 0.47 )O 3ナノワイヤアレイの合成と圧電応答」. Applied Physics Letters . 85 (18): 4190– 4192. Bibcode :2004ApPhL..85.4190Z. doi :10.1063/1.1814427. hdl : 10397/4241 . ISSN  0003-6951.
  86. ^ Zhao, Min-Hua; Wang, Zhong-Lin; Mao, Scott X. (2004年4月). 「圧電応答力顕微鏡による酸化亜鉛ナノベルトの圧電特性評価」. Nano Letters . 4 (4): 587– 590. Bibcode :2004NanoL...4..587Z. doi :10.1021/nl035198a. ISSN  1530-6984.
  87. ^ ルオ、ユン;ザフラニアク、イザベラ。ザハロフ、ニコライD。ナガラジャン、ヴァラノール。スタインハート、マーティン。ヴェールスポーン、ラルフ B.ヴェンドルフ、ヨアヒム H.ラメッシュ、ラマモーシー。アレクシェ、マリン (2003-07-21)。 「強誘電性チタン酸ジルコン酸鉛とチタン酸バリウムのナノシェルチューブ」。応用物理学の手紙83 (3): 440–442書誌コード:2003ApPhL..83..440L。土井:10.1063/1.1592013。ISSN  0003-6951。S2CID  123413166。
  88. ^ ユン・ワンス;アーバン、ジェフリー・J.顧、銭。パク・ホングン(2002年5月)。 「走査型プローブ顕微鏡によって調査された個々のチタン酸バリウムナノワイヤの強誘電特性」。ナノ文字2 (5): 447–450Bibcode :2002NanoL...2..447Y。土井:10.1021/nl015702g。ISSN  1530-6984。
  89. ^ Lin, Yi-Feng; Song, Jinhui; Ding, Yong; Lu, Shih-Yuan; Wang, Zhong Lin (2008-01-14). 「CdSナノワイヤを用いた圧電ナノジェネレータ」. Applied Physics Letters . 92 (2): 022105. Bibcode :2008ApPhL..92b2105L. doi :10.1063/1.2831901. hdl : 1853/27469 . ISSN  0003-6951. S2CID  123588080.
  90. ^ Wang, J.; Sandu, CS; Colla, E.; Wang, Y.; Ma, W.; Gysel, R.; Trodahl, HJ; Setter, N .; Kuball, M. (2007-03-26). 「単結晶Pb(Zr,Ti)O3ナノワイヤにおける強誘電ドメインと圧電性」. Applied Physics Letters . 90 (13): 133107. Bibcode :2007ApPhL..90m3107W. doi :10.1063/1.2716842. ISSN  0003-6951. S2CID  123121473.
  91. ^ Wang, Zhaoyu; Hu, Jie; Suryavanshi, Abhijit P.; Yum, Kyungsuk; Yu, Min-Feng (2007年10月). 「周期的引張機械的負荷下における個々のBaTiO 3ナノワイヤからの電圧発生」. Nano Letters . 7 (10): 2966– 2969. Bibcode :2007NanoL...7.2966W. doi :10.1021/nl070814e. ISSN  1530-6984. PMID  17894515.
  92. ^ Jeong, Chang Kyu; Park, Kwi-Il; Ryu, Jungho; Hwang, Geon-Tae; Lee, Keon Jae (2014年5月). 「ナノジェネレータ:アルカリニオブ酸塩粒子と金属ナノロッドフィラーを用いた大面積でフレキシブルな鉛フリーナノ複合ジェネレータ(Adv. Funct. Mater. 18/2014)」. Advanced Functional Materials . 24 (18): 2565. doi : 10.1002/adfm.201470112 . ISSN  1616-301X.
  93. ^ Park, Kwi-Il; Xu, Sheng; Liu, Ying; Hwang, Geon-Tae; Kang, Suk-Joong L.; Wang, Zhong Lin; Lee, Keon Jae (2010-12-08). 「プラスチック基板上の圧電BaTiO 3薄膜ナノジェネレータ」. Nano Letters . 10 (12): 4939– 4943. Bibcode :2010NanoL..10.4939P. doi :10.1021/nl102959k. ISSN  1530-6984. PMID  21050010.
  94. ^ Stoppel, F.; Schröder, C.; Senger, F.; Wagner, B.; Benecke, W. (2011). 「低周囲振動エネルギーハーベスティングのためのAlNベース圧電マイクロパワージェネレータ」Procedia Engineering . 25 : 721– 724. doi : 10.1016/j.proeng.2011.12.178 . ISSN  1877-7058.
  95. ^ イ・ジュヒョク;パク・ジェヨン。チョ・ウンビ。キム・テユン。ハン、サンA。キム・テホ。劉延安。キム・ソンギュン;ノ・チャンジェ。ユン・ホンジュン。リュ、ハンジュン(2017-06-06)。 「圧電ナノ発電機のための二層WSe 2の信頼性の高い圧電性」。先端材料29 (29) 1606667。ビブコード:2017AdM....2906667L。土井:10.1002/adma.201606667。ISSN  0935-9648。PMID  28585262。S2CID 5516996  。
  96. ^ 朱、羽生;王、袁。シャオ、ジュン。劉明。シオン、シャオミン。ウォン、ジジン。そう、子梁。そう、ユウ。イン、シャオボ。張、翔 (2014-12-22)。 「自立単層MoS 2における圧電性の観察」。自然のナノテクノロジー10 (2): 151–155 .土井:10.1038/nnano.2014.309。ISSN  1748-3387。PMID  25531085。
  97. ^ Zhong, Junwen; Zhong, Qize; Zang, Xining; Wu, Nan; Li, Wenbo; Chu, Yao; Lin, Liwei (2017年7月). 「過酷な環境でのエネルギーハーベスティングのためのフレキシブルPET/EVAベースピエゾエレクトレット発電機」. Nano Energy . 37 : 268–274 . Bibcode :2017NEne...37..268Z. doi :10.1016/j.nanoen.2017.05.034. hdl : 10356/83115 . ISSN  2211-2855.
「https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=List_of_piezoelectric_materials&oldid=1316817721」より取得