スピントロニクス

スピントロニクス（スピン輸送エレクトロニクスの造語） [ 1 ] [ 2 ] [ 3 ]は、スピンエレクトロニクスとも呼ばれ、固体デバイスにおける電子の固有スピンとそれに関連する磁気モーメント、そして基本的な電子電荷を研究する分野です。[ 4 ]スピントロニクスの分野は、金属系におけるスピン-電荷結合に関する研究です。絶縁体における同様の効果は、マルチフェロイクスの分野に属します。

スピントロニクスは、電荷状態に加えて電子スピンを新たな自由度として用いる点で、従来のエレクトロニクスとは根本的に異なります。これは、データの保存と転送の効率性に影響を与えます。スピントロニクスシステムは、希薄磁性半導体（DMS）やホイスラー合金で最もよく実現されており、アトムトロニクス計算などの量子コンピューティングの分野で特に注目されています。

歴史

スピントロニクスは、1980年代に固体デバイスにおけるスピン依存電子輸送現象に関する発見から生まれました。これには、ジョンソンとシルスビー（1985年）による強磁性金属から常磁性金属へのスピン偏極電子注入の観測[ 5 ]や、アルバート・フェルトら[ 6 ]とピーター・グリュンベルグら（1988年）による巨大磁気抵抗効果の独立な発見[ 7 ]が含まれます。スピントロニクスの起源は、メザーベイとテドロウによって開拓された強磁性体/超伝導体トンネル実験と、1970年代のジュリエールによる磁気トンネル接合の初期実験に遡ることができます。[ 8 ]スピントロニクスにおける半導体の利用は、1990年にダッタとダスによってスピン電界効果トランジスタの理論的提案[ 9 ]と、1960年にラシュバによって電気双極子スピン共鳴が提案されたことに始まります。 [ 10 ]

2012年には、同期した電子の永続的なスピンヘリックスは1ナノ秒以上持続するようになり、これは以前の研究の30倍の延長であり、現代のプロセッサのクロックサイクルの持続時間よりも長い。[ 11 ]

2025年、60 K（-213.2 °C; -351.7 °F）において、結晶性ニッケル(II)ヨウ化物（）がp波磁性を示すことが報告されました。この磁性では、ニッケル原子のスピンが2つの方向に螺旋状に配列します。この配向は、小さな電流によって切り替えることができます。このスピントロニクス特性は、デジタルデバイスに応用され、コンピューターや携帯電話などのデバイスに電力を供給する従来の電荷ベースの電子機器よりもはるかに少ない電流で動作します。[ 12 ]ニ（II）私2{\displaystyle {\ce {Ni(II)I2}}}

理論

電子のスピンは、軌道運動による角運動量とは別の、固有の角運動量である。電子のスピンを任意の軸に沿って射影した大きさは であり、スピン統計定理より、電子はフェルミオンとして振舞うことを意味する。軌道角運動量と同様に、スピンには磁気モーメントが関連しており、その大きさは次のように表される。 12ℏ{\displaystyle {\tfrac {1}{2}}\hbar }

μ＝32qメートルeℏ{\displaystyle \mu ={\tfrac {\sqrt {3}}{2}}{\frac {q}{m_{e}}}\hbar }。

固体では、多数の電子のスピンが一緒に作用して物質の磁気特性や電子特性に影響を与え、例えば強磁性体のように永久磁気モーメントを与えることができます。

多くの物質では、電子スピンはアップ状態とダウン状態の両方に等しく存在し、輸送特性はスピンに依存しません。スピントロニクスデバイスでは、スピン偏極した電子集団を生成または操作する必要があり、その結果、スピンアップまたはスピンダウンの電子が過剰になります。スピン依存特性Xの偏極は、以下のように表すことができます。

PX＝X↑−X↓X↑+X↓{\displaystyle P_{X}={\frac {X_{\uparrow}-X_{\downarrow}}{X_{\uparrow}+X_{\downarrow}}}。

正味のスピン分極は、スピンアップとスピンダウンの間の平衡エネルギー分割を作り出すことによって達成されます。その方法としては、物質を大きな磁場（ゼーマン効果）の中に置くこと、強磁性体に存在する交換エネルギーを利用すること、あるいは系を強制的に平衡状態から外すことなどが挙げられます。このような非平衡状態が維持される時間は、スピン寿命として知られています。 τ{\displaystyle \tau}

拡散性導体において、スピン拡散長は非平衡スピン集団が伝播できる距離として定義できます。金属中の伝導電子のスピン寿命は比較的短く（典型的には1ナノ秒未満）、この寿命を技術的に重要な時間スケールまで延長することが重要な研究分野となっています。 λ{\displaystyle \lambda}

スピンアップ、スピンダウン、そしてその結果生じるスピン偏極した電子集団を示すグラフ。スピンインジェクター内部では偏極は一定であるが、インジェクター外部ではスピンアップとスピンダウンの集団が平衡状態に達するにつれて、偏極は指数関数的にゼロまで減少する。

スピン偏極した電子集団の減衰メカニズムは、スピンフリップ散乱とスピンデフェージングに大別できます。スピンフリップ散乱は、固体内部においてスピンが保存されないプロセスであり、入射スピンアップ状態を出力スピンダウン状態に切り替える可能性があります。スピンデフェージングは​​、共通のスピン状態を持つ電子集団が、電子スピン歳差運動の速度の違いにより、時間の経過とともに偏極度が減少するプロセスです。閉じ込められた構造では、スピンデフェージングが抑制され、低温における 半導体量子ドットのスピン寿命はミリ秒単位になります。

超伝導体は、磁気抵抗効果、スピン寿命、無散逸スピン流などのスピントロニクスにおける中心的な効果を高めることができる。[ 13 ] [ 14 ]

金属にスピン偏極電流を発生させる最も簡単な方法は、強磁性材料に電流を流すことです。この効果の最も一般的な応用例は、巨大磁気抵抗（GMR）デバイスです。典型的なGMRデバイスは、スペーサー層で分離された少なくとも2層の強磁性材料で構成されています。強磁性層の2つの磁化ベクトルが揃っている場合、強磁性層が反揃っている場合よりも電気抵抗が低くなります（したがって、一定電圧でより大きな電流が流れます）。これが磁場センサーを構成します。

GMRには、（1）電流が層に平行に流れる面内電流（CIP）、および（2）電流が層に垂直な方向に流れる面垂直電流（CPP）の2つのバリエーションがデバイスに適用されています。

その他の金属ベースのスピントロニクスデバイス:

  • トンネル磁気抵抗（TMR）。強磁性層を分離する薄い絶縁体を通過する電子の量子力学的トンネル効果を利用して CPP 輸送を実現します。
  • スピントランスファートルクでは、スピン偏極電子の電流を使用して、デバイス内の強磁性電極の磁化方向を制御します。
  • スピン波論理デバイスは位相で情報を伝達します。干渉とスピン波散乱によって論理演算を実行できます。

デバイスの種類

スピントロニックロジック

スケーリングを可能にする不揮発性スピンロジックデバイスが広く研究されている。[ 15 ]スピンと磁石を情報処理に用いるスピントランスファー型トルクベースロジックデバイスが提案されている。[ 16 ] [ 17 ]これらのデバイスはITRSの探索ロードマップの一部である。ロジックインメモリアプリケーションはすでに開発段階にある。[ 18 ] [ 19 ] 2017年のレビュー記事はMaterials Todayに掲載されている。[ 4 ]

スピントロニクス集積回路のための一般化回路理論が提案されており[ 20 ]、スピン輸送の物理学をSPICE開発者が利用し、その後、回路およびシステム設計者が「CMOSコンピューティングを超える」スピントロニクスの探求に活用することができるようになっている。

半導体

ドープされた半導体材料は希薄強磁性を示す。近年、ZnO系DMOやTiO 2系DMOなどの希薄磁性酸化物（DMO）は、数多くの実験的および計算論的研究の対象となっている。[ 21 ] [ 22 ]非酸化物強磁性半導体源（マンガンドープガリウムヒ素（Ga,Mn）Asなど）は、[ 23 ]トンネル障壁による界面抵抗の増加、[ 24 ]またはホットエレクトロン注入による界面抵抗の増加[ 25 ]が報告されている。

半導体におけるスピン検出は、複数の技術で解決されてきました。

  • 透過/反射光子のファラデー/カー回転[ 26 ]
  • 電界発光の円偏光解析[ 27 ]
  • 非局所スピンバルブ（ジョンソンとシルズビーの金属に関する研究を基に改変）[ 28 ]
  • 弾道スピンフィルタリング[ 29 ]

後者の技術は、スピン軌道相互作用の欠如と材料の問題を克服し、シリコンでのスピン輸送を実現するために使用された。[ 30 ]

外部磁場（および磁気接触からの漂遊磁場）は半導体内で大きなホール効果と磁気抵抗（スピンバルブ効果を模倣）を引き起こす可能性があるため、半導体内でのスピン輸送の唯一の決定的な証拠は、注入されたスピンの向きと非共線的な磁場内でのスピン歳差運動と位相ずれの実証、いわゆるハンレ効果です。

ストレージメディア

反強磁性記憶媒体は、強磁性の代替として研究されてきた[ 31 ]。特に、反強磁性材料は強磁性材料と同様にビットを保存できるためである。通常の定義である0↔「上向き磁化」、1↔「下向き磁化」の代わりに、例えば0↔「垂直方向に交互するスピン配置」、1↔「水平方向に交互するスピン配置」といった状態も考えられる[ 32 ]。

反強磁性材料の主な利点は次のとおりです。

  • ネット外部磁化がゼロであるため、漂遊磁場によるデータにダメージを与える摂動に対して鈍感である。[ 33 ]
  • 近くの粒子には影響がなく、反強磁性デバイス要素が磁気的に隣接する要素を妨害しないことを意味している。[ 33 ]
  • スイッチング時間がはるかに短い（反強磁性共鳴周波数はGHzの強磁性共鳴周波数と比較してTHzの範囲にある）[ 34 ]
  • 一般的に入手可能な反強磁性材料には、絶縁体、半導体、半金属、金属、超伝導体など広範囲にわたります。[ 34 ]

反強磁性スピントロニクスへの情報の読み書き方法については研究が進められているが、これは、従来の強磁性スピントロニクスと比較して、正味の磁化がゼロであるため困難であるためである。現代のMRAMでは、磁場による強磁性秩序の検出と操作は、電流によるより効率的でスケーラブルな読み書きに取って代わられ、ほとんど放棄されている。磁場はいずれにせよ効果がないため、反強磁性体では磁場ではなく電流によって情報を読み書きする方法も研究されている。現在反強磁性体で研究されている書き込み方法は、スピンホール効果とラシュバ効果によるスピン伝達トルクとスピン軌道トルクを利用するものである。トンネル磁気抵抗効果などの磁気抵抗効果を介して反強磁性体で情報を読み取ることも研究されている。[ 35 ]

アプリケーション

磁気共鳴ラム

モトローラは、単一の磁気トンネル接合と単一のトランジスタをベースにした、50ナノ秒未満の読み書きサイクルを持つ第一世代の256kb磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）を開発しました 。[ 36 ]エバースピンはその後、4Mbバージョンを開発しました 。 [ 37 ]第二世代のMRAM技術として、熱アシストスイッチング（TAS）[ 38 ]とスピントランスファートルク（STT）[ 39 ]の2つが開発中です。

磁気ハードドライブの読み取りヘッドは、GMR または TMR 効果に基づいています。

レーストラックの記憶

もう 1 つの設計であるレーストラック メモリは、スチュアート SP パーキン博士が提案した新しいメモリ アーキテクチャであり、強磁性ワイヤのドメイン ウォール間の磁化の方向に情報をエンコードします。

半導体レーザー

スピン偏極電気注入を用いた応用では、閾値電流の低減と制御可能な円偏光コヒーレント光出力が実証されている。[ 40 ]例としては半導体レーザーが挙げられる。将来の応用としては、 MOSFETデバイスに比べてサブスレッショルドスロープが急峻であるなどの 利点を持つスピンベーストランジスタが考えられる。

磁気トンネルトランジスタ

磁気トンネルトランジスタ（MTT）は室温で高度にスピン偏極した電子源を可能にします。単層ベース層を持つMTT [ 41 ]には以下の端子があります。

磁電流（MC）は次のように与えられます。

MC＝私c、p−私c、1つのp私c、1つのp{\displaystyle MC={\frac {I_{c,p}-I_{c,ap}}{I_{c,ap}}}}

そして伝達比（TR）は

TR＝私C私E{\displaystyle TR={\frac {I_{C}}{I_{E}}}}

ニューロモルフィックコンピューティング

スピンベース磁気デバイスのもう一つの重要な応用分野は、ニューロモルフィック・コンピューティングです。これは、生物学的神経系の計算原理を模倣することを目標としています。現代の人工知能モデルでは、トレーニングには何百万もの計算演算が必要であり、従来のコンピューティングアーキテクチャでは困難を極めます。従来のコンピューティングは、メモリと計算ユニットが物理的に分離されているフォン・ノイマン・アーキテクチャに基づいています。この分離により、計算中にデータが前後に移動することを余儀なくされ、大きなボトルネックが生じます。低エネルギー動作、高い耐久性、ナノスケールのスケーラビリティ、そして不揮発性を備えたスピントロニクスデバイスは、脳に着想を得たアーキテクチャの要求に合致するため、ニューロモルフィック・コンピューティングの有力な候補となります。

このようなシステムでは、磁気トンネル接合（MTJ）、磁壁ナノトラック、スキルミオンベースデバイス、スピントルクナノ発振器などのスピントロニクス素子を用いて、ナノスケール強磁性体の磁化ダイナミクスを利用することで、ニューロン機能やシナプス機能を実装します。これらのデバイスは、スピン移動トルクまたはスピン軌道トルク下での磁気モーメントの挙動を通じて、時間積分、リーク、閾値活性化、シナプス可塑性といった動作を本質的に実現できます。

例えば、ドメインウォールベースのMTJは、膜電位を駆動された磁壁の位置にマッピングすることで、リーキー積分発火モデルを再現します。スキルミオンベースのシナプスは、ナノトラック内のスキルミオンの数または構成にシナプス重みをエンコードし、電流駆動による動きを通じて入力スパイクの重み付き加算を可能にします。確率的ビットとして用いられる確率的低障壁ナノ磁石などの他のスピントロニクス実装は、ノイズ駆動型ニューラルコンピューティングおよび確率的コンピューティングをハードウェア効率の高い方法でサポートします。

スピントロニクスデバイスは不揮発性、高度にスケーラブル、そしてフェムトジュール未満のスイッチングエネルギーを実現できるため、メモリと計算を同一の物理媒体に統合するコンパクトなニューロモルフィックシステムのための有望なプラットフォームとなります。現在進行中の研究は、デバイスの均一性向上、動作エネルギーの低減、CMOS回路との大規模集積化、そしてニューロモルフィック機能を強化するための新規磁性材料の開発に焦点を当てています。[ 42 ]

参照

参考文献

  1. ^ Wolf, SA; Chtchelkanova, AY; Treger, DM (2006). 「スピントロニクス—回顧と展望」. IBM Journal of Research and Development . 50 : 101–110 . doi : 10.1147/rd.501.0101 .
  2. ^ 「物理学プロフィール：「スタウ・ウルフ：真のD！ハリウッドストーリー」. 2011年4月18日時点のオリジナルよりアーカイブ。2008年7月11日閲覧。
  3. ^スピントロニクス：スピンベースエレクトロニクスの未来ビジョン. Sciencemag.org (2001年11月16日). 2013年10月21日閲覧。
  4. ^ a b Bhatti, S.; et al. (2017). 「スピントロニクスベースのランダムアクセスメモリ：レビュー」 . Materials Today . 20 (9): 530– 548. doi : 10.1016/j.mattod.2017.07.007 . hdl : 10356/146755 .
  5. ^ Johnson, M.; Silsbee, RH (1985). 「界面電荷-スピン結合：金属へのスピン磁化の注入と検出」. Physical Review Letters . 55 (17): 1790– 1793. Bibcode : 1985PhRvL..55.1790J . doi : 10.1103/PhysRevLett.55.1790 . PMID 10031924 . 
  6. ^ Baibich, MN; Broto, JM; Fert, A.; Nguyen Van Dau, FN; Petroff, F.; Etienne, P.; Creuzet, G.; Friederich, A.; Chazelas, J. (1988). 「(001)Fe/(001)Cr磁性超格子の巨大磁気抵抗」(PDF) . Physical Review Letters . 61 (21): 2472– 2475. Bibcode : 1988PhRvL..61.2472B . doi : 10.1103/PhysRevLett.61.2472 . PMID 10039127 . 
  7. ^ Binasch, G.; Grünberg, P.; Saurenbach, F.; Zinn, W. (1989). 「反強磁性層間交換による層状磁性構造における磁気抵抗効果の増強」 . Physical Review B. 39 ( 7): 4828– 4830. Bibcode : 1989PhRvB..39.4828B . doi : 10.1103/PhysRevB.39.4828 . PMID 9948867 . 
  8. ^ Julliere, M. (1975). 「強磁性膜間のトンネリング」. Physics Letters A. 54 ( 3): 225– 226. Bibcode : 1975PhLA...54..225J . doi : 10.1016/0375-9601(75)90174-7 .
  9. ^ Datta, S. & Das, B. (1990). 「電気光学変調器の電子アナログ」.応用物理学論文集. 56 (7): 665– 667. Bibcode : 1990ApPhL..56..665D . doi : 10.1063/1.102730 .
  10. ^ EI Rashba、「サイクロトロンおよび垂直磁場中の複合共鳴」、Soviet Phys. Solid State、 2、1109–1122 (1960)。
  11. ^ Walser, M.; Reichl, C.; Wegscheider, W. & Salis, G. (2012). 「持続スピンヘリックスの形成の直接マッピング」Nature Physics . 8 (10): 757. arXiv : 1209.4857 . Bibcode : 2012NatPh...8..757W . doi : 10.1038/nphys2383 . S2CID 119209785 . 
  12. ^ Ghoshal, Abhimanyu (2025年6月14日). 「新たに観測された磁気状態は超高速メモリチップのロックを解除する可能性がある」 . New Atlas . 2025年6月20日閲覧。
  13. ^ Linder, Jacob; Robinson, Jason WA (2015年4月2日). 「超伝導スピントロニクス」. Nature Physics . 11 (4): 307– 315. arXiv : 1510.00713 . Bibcode : 2015NatPh..11..307L . doi : 10.1038/nphys3242 . ISSN 1745-2473 . S2CID 31028550 .  
  14. ^エシュリグ、マティアス (2011). 「スピントロニクスのためのスピン偏極超伝導電流」. Physics Today . 64 (1): 43– 49. Bibcode : 2011PhT....64a..43E . doi : 10.1063/1.3541944 .
  15. ^半導体の国際技術ロードマップ
  16. ^ Behin-Aein, B.; Datta, D.; Salahuddin, S.; Datta, S. (2010). 「メモリ内蔵型オールスピンロジックデバイスの提案」Nature Nanotechnology . 5 (4): 266– 270. Bibcode : 2010NatNa...5..266B . doi : 10.1038/nnano.2010.31 . PMID 20190748 . 
  17. ^ Manipatruni, Sasikanth; Nikonov, Dmitri E. and Young, Ian A. (2011) [1112.2746] スピントロニクス集積回路のSPICEのための回路理論. Arxiv.org. 2013年10月21日閲覧。
  18. ^ Crocus社、Starchip社と提携し、磁気論理ユニット（MLU）技術に基づくシステムオンチップソリューションを開発。crocus-technology.com。2011年12月8日
  19. ^スピントロニクス論理集積回路の信頼性を向上する画期的な新技術. Nec.com. 2012年6月11日.
  20. ^ S. Manipatruni、DE Nikonov、IA Young（2012年12月）「スピントロニック集積回路のモデリングと設計」、 IEEE Transactions on Circuits and Systems I：Regular Papers、 59（12）：2801–2814、 doi： 10.1109/TCSI.2012.2206465。
  21. ^ Assadi, MHN; Hanaor, DAH (2013). 「TiO 2多形における銅のエネルギー論と磁性に関する理論的研究」. Journal of Applied Physics . 113 (23): 233913–233913–5. arXiv : 1304.1854 . Bibcode : 2013JAP...113w3913A . doi : 10.1063/1.4811539 . S2CID 94599250 . 
  22. ^ Ogale, SB (2010). 「金属酸化物系における希薄ドーピング、欠陥、および強磁性」. Advanced Materials . 22 (29): 3125– 3155. Bibcode : 2010AdM....22.3125O . doi : 10.1002/adma.200903891 . PMID 20535732 . S2CID 25307693 .  
  23. ^ Jonker, B.; Park, Y.; Bennett, B.; Cheong, H.; Kioseoglou, G.; Petrou, A. (2000). 「半導体ヘテロ構造へのロバストな電気スピン注入」. Physical Review B. 62 ( 12): 8180. Bibcode : 2000PhRvB..62.8180J . doi : 10.1103/PhysRevB.62.8180 .
  24. ^ Hanbicki, AT; Jonker, BT; Itskos, G.; Kioseoglou, G.; Petrou, A. (2002). 「磁性金属／トンネルバリアコンタクトから半導体への効率的な電気スピン注入」. Applied Physics Letters . 80 (7): 1240. arXiv : cond-mat/0110059 . Bibcode : 2002ApPhL..80.1240H . doi : 10.1063/1.1449530 . S2CID 119098659 . 
  25. ^ Jiang, X.; Wang, R.; Van Dijken, S.; Shelby, R.; MacFarlane, R.; Solomon, G.; Harris, J.; Parkin, S. (2003). 「磁気トンネルトランジスタ源からのGaAsへのホットエレクトロンスピン注入の光学的検出」. Physical Review Letters . 90 (25) 256603. Bibcode : 2003PhRvL..90y6603J . doi : 10.1103/PhysRevLett.90.256603 . PMID 12857153 . 
  26. ^ Kikkawa, J.; Awschalom, D. (1998). 「n型GaAsにおける共鳴スピン増幅」. Physical Review Letters . 80 (19): 4313. Bibcode : 1998PhRvL..80.4313K . doi : 10.1103/PhysRevLett.80.4313 .
  27. ^ Jonker, Berend T.スピン分極注入キャリアの崩壊または再結合による偏光発光 – 米国特許5874749 2009年12月12日アーカイブ、Wayback Machineにて。1999年2月23日発行。
  28. ^ Lou, X.; Adelmann, C.; Crooker, SA; Garlid, ES; Zhang, J.; Reddy, KSM; Flexner, SD; Palmstrøm, CJ; Crowell, PA (2007). 「横方向強磁性体–半導体デバイスにおけるスピン輸送の電気的検出」. Nature Physics . 3 (3): 197. arXiv : cond-mat/0701021 . Bibcode : 2007NatPh...3..197L . doi : 10.1038/nphys543 . S2CID 51390849 . 
  29. ^ Appelbaum, I.; Huang, B.; Monsma, DJ (2007). 「シリコンにおけるスピン輸送の電子測定と制御」. Nature . 447 (7142): 295– 298. arXiv : cond-mat/0703025 . Bibcode : 2007Natur.447..295A . doi : 10.1038/nature05803 . PMID 17507978 . S2CID 4340632 .  
  30. ^ジュティッチ、I.;ファビアン、J. (2007)。「スピントロニクス: シリコンツイスト」。自然。447 (7142): 268–269。Bibcode : 2007Natur.447..268Z。土井：10.1038/447269a。PMID 17507969。S2CID 32830840。  
  31. ^ Jungwirth, T. (2014年4月28日). 「反強磁性体を用いたスピントロニクスへの相対論的アプローチ」(PDF) (バイエルン大学における物理学コロキウムの告知). 2014年4月29日時点のオリジナル(PDF)からアーカイブ。 2014年4月29日閲覧。
  32. ^これは数学的には回転群SO(3)からその相対論的被覆である「二重群」SU(2)への遷移に対応する。
  33. ^ a b Jungwirth, T.; Marti, X.; Wadley, P.; Wunderlich, J. (2016). 「反強磁性スピントロニクス」. Nature Nanotechnology . 11 (3). Springer Nature: 231– 241. arXiv : 1509.05296 . Bibcode : 2016NatNa..11..231J . doi : 10.1038/nnano.2016.18 . ISSN 1748-3387 . PMID 26936817. S2CID 5058124 .   
  34. ^ a b Gomonay, O.; Jungwirth, T.; Sinova, J. (2017年2月21日). 「反強磁性スピントロニクスの概念」. Physica Status Solidi RRL . 11 (4) 1700022. Wiley. arXiv : 1701.06556 . Bibcode : 2017PSSRR..1100022G . doi : 10.1002/pssr.201700022 . ISSN 1862-6254 . S2CID 73575617 .  
  35. ^ Chappert, Claude; Fert, Albert; van Dau, Frédéric Nguyen (2007). 「データストレージにおけるスピンエレクトロニクスの出現」. Nature Materials . 6 (11). Springer Science and Business Media LLC: 813– 823. Bibcode : 2007NatMa...6..813C . doi : 10.1038 / nmat2024 . ISSN 1476-1122 . PMID 17972936. S2CID 21075877 .   
  36. ^スピントロニクス. Sigma-Aldrich. 2013年10月21日閲覧。
  37. ^ Everspin Archived 30 June 2012 at the Wayback Machine . Everspin. 2013年10月21日閲覧。
  38. ^ Hoberman, Barry.実用的なMRAMの出現.2013年10月21日アーカイブ、Wayback Machine . crocustechnology.com.
  39. ^ LaPedus, Mark (2009 年 6 月 18 日)、「 Tower が Crocus に投資、MRAM ファウンドリ取引を示唆」eetimes.com。
  40. ^ Holub, M.; Shin, J.; Saha, D.; Bhattacharya, P. (2007). 「半導体レーザーにおける電気スピン注入と閾値低減」. Physical Review Letters . 98 (14) 146603. Bibcode : 2007PhRvL..98n6603H . doi : 10.1103/PhysRevLett.98.146603 . PMID 17501298 . 
  41. ^ Van Dijken, S.; Jiang, X.; Parkin, SSP (2002). 「高出力電流磁気トンネルトランジスタの室温動作」. Applied Physics Letters . 80 (18): 3364. Bibcode : 2002ApPhL..80.3364V . doi : 10.1063/1.1474610 .
  42. ^ Grollier, J., Querlioz, D., Camsari, KY他 (2020)、「ニューロモルフィックスピントロニクス」、 Nature Electronics 3: 360–370、 doi : 10.1038/s41928-019-0360-9。

さらに読む

「 https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=スピントロニクス&oldid= 1329382613」より取得