モデル固体近似は、半導体のエネルギーバンドの極値を決定するために使用される方法です。この方法は、1986年にクリス・G・ヴァン・デ・ヴァレとリチャード・M・マーティンによってシリコンゲルマニウム合金に対して初めて提案され[1]、1989年にヴァン・デ・ヴァレによって他のいくつかの半導体材料に拡張されました[2]。これは、量子カスケードレーザー などの半導体ヘテロ構造デバイスのモデリングに広く使用されています[3]
半導体結晶内の静電ポテンシャルは原子レベルで変動しますが、モデル固体近似ではこれらの変動を平均化して、各材料のエネルギーレベルを一定に保ちます。
参考文献
- ^ Van de Walle, Chris G.; Martin, Richard M. (1986-10-15)、「Si/Ge系におけるヘテロ接合不連続性の理論計算」、Phys. Rev. B、34 (8): 5621、Bibcode :1986PhRvB..34.5621V、doi :10.1103/PhysRevB.34.5621
- ^ Van de Walle, Chris G. (1989-01-15), 「模型固体理論におけるバンドラインナップと変形ポテンシャル」, Phys. Rev. B , 39 (3): 1871, Bibcode :1989PhRvB..39.1871V, doi :10.1103/PhysRevB.39.1871
- ^ Faist, Jérôme; Capasso, Federico; Sivco, Deborah L.; Hutchinson, Albert L.; Chu, Sung-Nee G.; Cho, Alfred Y. Cho (1998-02-09)「歪補償InGaAs/AlInAsに基づく短波長（λ~3.4 μm）量子カスケードレーザー」Appl. Phys. Lett. , 72 (6): 680, Bibcode :1998ApPhL..72..680F, doi :10.1063/1.120843
