サンジェイ・バネルジー | |
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 サンジェイ・バネルジー教授がジョン・ケリー元国務長官とマイクロエレクトロニクス研究センターでの研究について話し合っている（2016年4月）。[1] | |
| 母校 | イリノイ大学アーバナシャンペーン校（博士号）、 インド工科大学カラグプル校（学士） |
| 受賞歴 | 2014 IEEEアンドリュー・S・グローブ賞 2003電気化学会トーマス・D・カリナン賞 2000 IEEEミレニアムメダル 1988全米科学財団 大統領若手研究者賞 |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | 電気工学 |
| 機関 | テキサス大学オースティン校 |
| 博士課程の指導教員 | ベン・G・ストリートマン |
| Webサイト | banerjeelab.mer.utexas.edu |
サンジェイ・バナージーは、テキサス大学オースティン校マイクロエレクトロニクス研究センター[2]のアメリカ人エンジニアであり、サウスウェストナノエレクトロニクスアカデミー（SWAN）の所長でもある。SWANは、 MOSFETの代替品を開発するために半導体研究会社によって資金提供されている米国の3つのセンターの1つであり、ナノエレクトロニクス研究イニシアチブ（NRI）の一環として開発されている。[3]
キャリア
バナジー氏はテキサス大学でコックレルファミリー評議員議長教授を務め、これまでに 60 名以上の博士課程学生と 70 名以上の修士課程学生を指導してきました。
研究
1986年、テキサス・インスツルメンツ社が世界初の4メガビットDRAMに採用したポリシリコン・トランジスタとダイナミック・ランダム・アクセス・トレンチ・メモリセルに関する研究で、IEEE国際固体回路会議（IEEE International Solid State Circuits Conference）の最優秀論文賞を受賞した。彼は、世界初の3端子MOSトンネルFETと、フラッシュメモリ用初の高誘電率誘電体/シリコンゲルマニウム量子ドットゲートを実証した。[4]彼は、2D材料とスピントロニクスに基づくCMOSを超えるナノ電子トランジスタ、先進的なMOSFETの製造とモデリング、そして太陽電池の分野で活躍している。[5] [6] [7]
出版物
彼は650件以上の査読付き学術誌への論文投稿と学会発表[8]をアーカイブしており、30件の米国特許を保有しています。また、コックレル工学部元学部長の ベン・G・ストリートマン氏と共著で、現在第7版が刊行されている教科書『固体電子デバイス』を執筆しています。
栄誉と賞
バネルジー氏は1996年に電気電子学会フェロー、2006年にアメリカ物理学会フェロー、 2007年にアメリカ科学振興協会フェローに選出された。受賞歴には、2014年IEEEアンドリュー・S・グローブ賞、[4] 2008年コックレル工学部ビリー・アンド・クロード・R・ホコット特別百年祭工学研究賞、[9] 2005年インド工科大学カラグプル校特別卒業生賞、2003年電気化学会トーマス・D・カリナン賞、2000年IEEEミレニアムメダル、1988年全米科学財団 大統領若手研究者賞（レーザー強化分子線エピタキシーによる高速光電子デバイスとVLSI構造に対する）などがある。[10]
参考文献
- ^ DeCiutiis, Hannah Jane (2016年4月29日). 「ケリー氏の訪問は、コックレル工科大学の再生可能エネルギー分野におけるリーダーシップを強調 - コックレル工科大学」www.engr.utexas.edu . 2017年7月13日閲覧。
- ^ 「マイクロエレクトロニクス研究センター」. utexas.edu . 2017年8月26日閲覧。
- ^ “South West Academy of Nanoelectronics”. src.org . 2017年8月26日閲覧。
- ^ ab “IEEE IEEE Andrew S. Grove Award Recipients”. IEEE . 2010年4月7日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2017年7月13日閲覧。
- ^ “Sanjay Banerjee”. utexas.edu . 2016年12月11日閲覧。
- ^ “Banerjee, Sanjay”. worldcat.org . 2016年12月11日閲覧。
- ^ "BanerjeeLab". utexas.edu . 2017年8月26日閲覧。
- ^ 「Sanjay K Banerjee, Research Output, UT Austin」. utexas.influuent.utsystem.edu . 2017年7月13日閲覧。
- ^ Lavorgna, Terri. 「Billy & Claude R. Hocott Distinguished Centennial Engineering Research Award - Cockrell School of Engineering」. www.engr.utexas.edu . 2017年7月13日閲覧。
- ^ 「NSF Award Search: Award#8858352 - Presidential Young Investigator Award: High Speed Optoelectronic Devices and VLSI Structures by Laser Enhanced Epitaxy」. www.nsf.gov . 2017年7月13日閲覧。
