トランススパニングリガンド

トランススパニング配位子は、平面正方構造を持つ錯体の反対側の部位を架橋できる二座配位子です。シス型にキレートする配位子は既に多種多様ですが、配位多面体の反対側の頂点を架橋できる配位子はごくわずかです。トランススパニング二座配位子を合成する初期の試みでは、供与性官能基を長い炭化水素鎖で架橋していましたが、このような配位子はしばしば配位高分子へとつながります。

歴史

ペンタメチレンで結合したジホスファンが、平面四角形の錯体を横切ると主張された。この初期の試みに続き、より剛性の高い骨格を持つ配位子が開発された。「TRANSPHOS」は、パラジウム(II)および白金(II)にトランス配位する、最初のトランス架橋ジホスファン配位子であった。TRANSPHOSは、1位と11位がジフェニルホスフィノメチル基(Ph 2 PCH 2 )で置換されたベンゾ[c]フェナントレンを特徴とする。 [1] [2]この多環式骨格は、水素中心が立体的に衝突するという問題を抱えている。

PtCl 2(SPANphos)の構造[3]

α-シクロデキストリンをベースとするTRANSDIPは、d 8金属イオンハロゲン化物とでも完全にトランス架橋錯体を形成する初めての配位子です。 [4] Xantphosは、TRANSPHOSに比べて立体的嵩高さが小さいため、トランス架橋配位子に分類されることがあります。SPANphosXANTPHOSに匹敵しますが、より確実にトランス架橋します。

参考文献

  1. ^ デステファノ, NJ; ジョンソン, DK; レーン, RM; ヴェナンツィ, LM (1976). 「転位を跨ぐ二座配位子を持つ遷移金属錯体.I. 平面四角形錯体の形成を促進する配位子,2,11-ビス(ジフェニルホスフィノメチル)ベンゾ[C]-フェナントレンの合成」. Helvetica Chimica Acta . 59 (8): 2674– 2682. doi :10.1002/hlca.19760590806.
  2. ^ Mochida, JA; Mattern, JC; Bailar, J. Jr. (1975). 「複合無機化合物の立体化学. XXXV. トランス位にまたがる配位子を含む錯体」. J. Am. Chem. Soc. 97 (11): 3021– 3026. doi :10.1021/ja00844a017.
  3. ^ Z. Freixa、MS Beentjes、GD Batema、CB Dieleman、GPF van Strijdonck、JNH Reek、PCJ Kamer、J. Fraanje、K. Goubitz、PWNM van Leeuwen (2003)。 「SPANphos: A C 2 -対称トランス配位ジホスファン配位子」。アンゲワンテ・ケミー国際版42 (11): 1322–1325土井:10.1002/anie.200390330。PMID  12645065。{{cite journal}}: CS1 maint: 複数の名前: 著者リスト (リンク)
  4. ^ Poorters, L.; Armspach, D.; Matt, D.; Toupet, L.; Choua, S.; Turek, P. (2007). 「シクロデキストリン空洞上に構築された剛性キレート剤、トランスディップの合成と特性:トランスディップは真のトランススパニングリガンドか?」(PDF) . Chemistry: A European Journal . 13 (34): 9448– 9461. doi :10.1002/chem.200700831. PMID  17943701.
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