弾道電子放出顕微鏡

弾道電子放出顕微鏡法（BEEM）は、様々な材料や材料界面を通る弾道電子輸送を研究するための手法である。BEEMは3端子走査トンネル顕微鏡法（STM）であり、1988年にカリフォルニア州パサデナのジェット推進研究所でL. Douglas Bell、Michael H. Hecht、William J. Kaiserによって発明された。^{[ 1 ] [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ]}研究対象となる最も一般的な界面は金属-半導体ショットキーダイオードであるが、金属-絶縁体-半導体システムも研究対象とすることができる。

BEEMを実行する際、STMチップからショットキーダイオードの接地された金属ベースに電子が注入されます。これらの電子のごく一部は金属を弾道的に通過し、金属と半導体の界面に到達し、そこでショットキー障壁に遭遇します。ショットキー障壁を乗り越えるのに十分なエネルギーを持つ電子は、BEEM電流として検出されます。STMチップの原子スケールの位置決め能力により、BEEMはナノメートルの空間分解能を実現します。さらに、STMチップからトンネルする電子のエネルギー分布が狭いため、BEEMは高いエネルギー分解能（約0.02 eV）を実現します。

参考文献

1. ハガーティ、ジェームズ・J. (1995). Spinoff 1994 (PDF) . ワシントンD.C.: アメリカ航空宇宙局、宇宙アクセス・技術局、商業開発・技術移転部. ISBN 0-16-045368-2. OCLC  664389243 .
2. Kaiser, W.; Bell, L. (1988). 「弾道電子放出顕微鏡法による表面下界面の電子構造の直接調査」. Physical Review Letters . 60 (14): 1406– 1409. Bibcode : 1988PhRvL..60.1406K . doi : 10.1103/PhysRevLett.60.1406 . PMID 10038030 . 
3. Bell, LD; Kaiser, WJ (1996). 「弾道電子放出顕微鏡：界面とキャリア輸送のナノメートルスケールプローブ」Annual Review of Materials Science 26 : 189– 222. Bibcode : 1996AnRMS..26..189B . doi : 10.1146 /annurev.ms.26.080196.001201 .
4. Coratger, R.; Ajustron, FO; Beauvillain, J. (1994). 「弾道電子放出顕微鏡法による金属-半導体界面の特性評価」 . Microscopy Microanalysis Microstructures . 5 : 31– 40. doi : 10.1051/mmm:019940050103100 .